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首頁 SCI期刊 工程技術 中科院4區 期刊介紹(非官網)
Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics雜志

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開源占比:0

研究類文章占比:97.77%

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics

國際標準簡稱:J NANOELECTRON OPTOE

人氣 943

《Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics》是一本專注于ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC領域的English學術期刊,創刊于2006年,由AMER SCIENTIFIC PUBLISHERS出版商出版,出版周期Tri-annual。該刊發文范圍涵蓋ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC等領域,旨在及時、準確、全面地報道國內外ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工作者在該領域的科學研究等工作中取得的經驗、科研成果、技術革新、學術動態等。該刊已被SCIE數據庫收錄,在中科院最新升級版分區表中,該刊分區信息為大類學科工程技術4區,2023年影響因子為0.6。

  • 4區

    中科院分區
  • Q4

    JCR分區
  • SCIE

    期刊收錄
  • 是否預警
ISSN:1555-130X
出版地區:UNITED STATES
出版周期:Tri-annual
E-ISSN:1555-1318
創刊時間:2006
出版語言:English
是否OA開放訪問:未開放
研究方向:工程:電子與電氣-工程技術
影響因子:0.6
年發文量:179
出版商:AMER SCIENTIFIC PUBLISHERS
平均審稿速度: 約1.0個月

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics期刊簡介

JNO is a cross-disciplinary peer-reviewed journal to consolidate all experimental and theoretical research activities in the areas of nanoscale electronic and optoelectronic materials and devices, electronic and optical properties of semiconductors, inorganic, organic, and hybrid nanostructures, electronic applications of superlattices, quantum structures, and other nanostructures, optoelectronic and photonic applications of novel functional materials and nanostructures, nanoelectronic circuits and device integration, nanofabrication, processing and characterization techniques, information processing and optical communications.

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics中科院分區

中科院分區2023年12月升級版

大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區 4區 4區

中科院分區2022年12月升級版

大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區 4區 4區

中科院分區2021年12月舊的升級版

大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區 4區 4區

中科院分區2021年12月基礎版

大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區 4區 4區

中科院分區2021年12月升級版

大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區 4區 4區

中科院分區2020年12月舊的升級版

大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區 4區 4區

中科院分區:中科院分區是SCI期刊分區的一種,是由中國科學院國家科學圖書館制定出來的分區。主要有兩個版本,即基礎版和升級版。2019年中國科學院文獻情報中心期刊分區表推出了升級版,實現了基礎版和升級版的并存過渡;升級版是對基礎版的延續和改進,將期刊由基礎版的13個學科擴展至18個,科研評價將更加明確。

JCR分區(2023-2024年最新版)

按JIF指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 319 / 352
9.5%
學科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 134 / 140
4.6%
學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 171 / 179
4.7%
按JCI指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 336 / 354
5.23%
學科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 133 / 140
5.36%
學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 175 / 179
2.51%

JCR分區:JCR(Journal Citation Reports)由科睿唯安公司(前身為湯森路透)開發。JCR沒有設置大類,只將期刊分為176個具體學科,也就是中科院分區中的小類學科。基于不同學科的當年影響因子高低進行排序,將期刊的數量均勻分為四個部分,Q1區代表學科分類中影響因子排名前25%的期刊,以此類推,Q2區為前25%-50%期刊,Q3區為前50%-75%期刊,Q4區為75%以后期刊。

其它數據分析對比

近年中科院分區趨勢圖

近年IF值(影響因子)趨勢圖

影響因子:是美國科學信息研究所(ISI)的期刊引證報告(JCR)中的一項數據。指的是某一期刊的文章在特定年份或時期被引用的頻率,是衡量學術期刊影響力的一個重要指標。自1975年以來,每年定期發布于“期刊引證報告”(JCR)。

發文統計(統計區間:2023年-2024年)

國家/地區 發文量
CHINA MAINLAND 322
India 133
South Korea 50
Saudi Arabia 44
Iran 41
Egypt 31
Pakistan 30
Malaysia 27
Turkey 26
Algeria 24
文章引用名稱 引用次數
Investigation of Ta/NII-WO3/... 10
A One Pot Room Temperature S... 9
Electrical Sensor Based on H... 8
Iron Oxide (Fe3O4)-Graphene ... 8
Hydrothermally Grown Copper-... 7
High UV-to-Visible Rejection... 6
Effect of the Electrolyte on... 6
On the Frequency-Voltage Dep... 6
Comparative Analysis Among S... 6
Flexible Sensors Based on Ag... 6
被引用期刊名稱 數量
J NANOELECTRON OPTOE 106
J NANOSCI NANOTECHNO 20
PHYSICA B 18
J MATER SCI-MATER EL 15
MATER RES EXPRESS 14
CERAM INT 13
OPTIK 13
SCI ADV MATER 13
J ALLOY COMPD 10
APPL PHYS A-MATER 9
引用期刊名稱 數量
IEEE T ELECTRON DEV 273
APPL PHYS LETT 202
J APPL PHYS 133
IEEE ELECTR DEVICE L 116
J NANOELECTRON OPTOE 106
PHYS REV B 94
THIN SOLID FILMS 87
APPL SURF SCI 83
NANO LETT 81
SUPERLATTICE MICROST 77

投稿注意事項

文章要求:

1、建議稿件控制10頁以上,文章撰寫語言為英語;(單欄格式,單倍行距,內容10號字體,文稿類型包含:原創研究(Original Research)、案例報告(Case Report)、文獻綜述(Literature Review)等;文件格式包含word、PDF、LaTeX等。

2、稿件重復率控制10%以內,論文務必保證原創性、圖標、公式、引文等要素齊備,保證附屬資料的完整。已發表或引用過度的文章將不會被出版和檢索,禁止一稿多投,拒絕抄襲、機械性的稿件。

3、稿件必須有較好的英語表達水平,有圖,有表,有公式,有數據或設計,有算法(方案,模型),實驗,仿真等;參考文獻控制25條以上,參考文獻引用一半以上控制在近5年以內。

圖片和圖表要求:

1、建議使用TIFF、EPS、JPEG格式 ,TIFF格式 使用LZW壓縮。

2、文件大小最大不超過20MB,不要以單個文件的形式上傳數據。

3、彩色圖片的分辨率≥300dpi;黑白圖片的分辨率在≥500dpi;line art圖片類型的分辨率≥1000dpi;色彩模式建議采用RGB,除非期刊注明要CMYK。

4、線條不要細于0.25pt,也不能太粗,超過1.5pt,過細或過粗都影響美觀。

5、表格一般和manuscrript放置在一個word文檔里部分期刊 需要單獨上傳表格。

作者信息:

1、包括作者姓名、最高學位,作者單位(精確到部門),郵箱,地址,郵編,關鍵詞,內容,總結,項目基金,參考文獻,作者相片+簡介(一定要確保作者信息準確無誤,提交稿件之后這部分不能再作改動)。

更多征稿細則請查閱雜志社征稿要求。本站專注期刊咨詢服務十年,確保SCI檢索,稿件信息安全保密,合乎學術規范不成功不收費,詳情請咨詢客服

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AMER SCIENTIFIC PUBLISHERS, 25650 NORTH LEWIS WAY, STEVENSON RANCH, USA, CA, 91381-1439

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