來源:學術之家整理 2025-03-18 15:36:50
《Ieee Transactions On Very Large Scale Integration (vlsi) Systems》中文名稱:《超大規模集成 (vlsi) 系統上的 Ieee 事務》,創刊于1993年,由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版,出版周期Bimonthly。
《IEEE VLSI 系統學報》是一份月刊,由 IEEE 電路與系統學會、IEEE 計算機學會和 IEEE 固態電路學會共同贊助出版。
使用 VLSI/ULSI 技術設計和實現微電子系統需要系統架構、邏輯和電路設計、芯片和晶圓制造、封裝、測試和系統應用等領域的科學家和工程師密切合作。必須在所有抽象級別(包括系統、寄存器傳輸、邏輯、電路、晶體管和工藝級別)生成規范、設計和驗證。
為了通過一個共同的論壇解決這一關鍵領域,IEEE VLSI 系統學報應運而生。由國際專家組成的編輯委員會誠邀提交原創論文,這些論文強調并贊揚微電子系統的新系統集成方面,包括系統設計和分區、邏輯和內存設計、數字和模擬電路設計、布局綜合、CAD 工具、芯片和晶圓制造、測試和封裝以及系統級鑒定之間的相互作用。因此,這些交易的報道將集中在 VLSI/ULSI 微電子系統集成上。
旨在及時、準確、全面地報道國內外COMPUTER SCIENCE, HARDWARE & ARCHITECTURE工作者在該領域的科學研究等工作中取得的經驗、科研成果、技術革新、學術動態等。
機構名稱 | 發文量 |
INDIAN INSTITUTE OF TEC... | 50 |
UNIVERSITY OF CALIFORNI... | 33 |
NANYANG TECHNOLOGICAL U... | 27 |
PURDUE UNIVERSITY SYSTE... | 23 |
UNIVERSITY SYSTEM OF GE... | 23 |
STATE UNIVERSITY SYSTEM... | 19 |
CHINESE ACADEMY OF SCIE... | 17 |
FUDAN UNIVERSITY | 17 |
HELMHOLTZ ASSOCIATION | 16 |
YONSEI UNIVERSITY | 16 |
國家/地區 | 發文量 |
USA | 300 |
CHINA MAINLAND | 163 |
India | 72 |
Taiwan | 70 |
South Korea | 67 |
Canada | 46 |
GERMANY (FED REP GER) | 42 |
Singapore | 38 |
Iran | 36 |
Japan | 24 |
文章引用名稱 | 引用次數 |
Novel Systolization of Subqu... | 58 |
Optimizing the Convolution O... | 27 |
Computing in Memory With Spi... | 22 |
A High-Throughput and Power-... | 19 |
Self-Optimizing and Self-Pro... | 13 |
Low-Power and Fast Full Adde... | 13 |
Systematic Design of an Appr... | 12 |
Robust Design-for-Security A... | 12 |
Experimental Investigation o... | 12 |
Radiation-Hardened 14T SRAM ... | 12 |
被引用期刊名稱 | 數量 |
IEEE T VLSI SYST | 397 |
IEEE ACCESS | 312 |
IEEE T CIRCUITS-I | 261 |
INTEGRATION | 173 |
IEEE T COMPUT AID D | 134 |
ELECTRONICS-SWITZ | 123 |
IEEE T CIRCUITS-II | 110 |
MICROELECTRON J | 107 |
IEICE ELECTRON EXPR | 106 |
J CIRCUIT SYST COMP | 105 |
引用期刊名稱 | 數量 |
IEEE J SOLID-ST CIRC | 610 |
IEEE T VLSI SYST | 397 |
IEEE T COMPUT AID D | 259 |
IEEE T CIRCUITS-I | 258 |
IEEE T CIRCUITS-II | 162 |
IEEE T COMPUT | 131 |
IEEE T ELECTRON DEV | 114 |
P IEEE | 80 |
ELECTRON LETT | 60 |
IEEE T POWER ELECTR | 44 |
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