時間:2023-05-30 10:18:29
開篇:寫作不僅是一種記錄,更是一種創造,它讓我們能夠捕捉那些稍縱即逝的靈感,將它們永久地定格在紙上。下面是小編精心整理的12篇引線框架,希望這些內容能成為您創作過程中的良師益友,陪伴您不斷探索和進步。
中圖分類號:TQ153.16 文獻標識碼:A 文章編號:1672-3791(2015)06(c)-0149-03
引線框架是半導體封裝的基礎材料,是集成線路芯片的載體,借助于鍵合金絲實現芯片內部電路和外部的電路連接。生產引線框架的材料主要是電子銅帶,為了保證封裝時焊線和引線框架的良好焊接性能,需要在引線框架的引線(焊線區域)和基島(芯片承載區域)表面作特殊處理,處理方式包括電鍍銀、電鍍鎳等方式。電鍍后的引線框架具備更優異的導電性和散熱性。
常見的電鍍方式是電鍍銀,引線框架電鍍銀的工藝主要包括:上料電解除油活化預鍍銅預鍍銀局部鍍銀退銀防銀膠擴散防銅變色烘干收料。電鍍線分為卷式電鍍線和片式電鍍線,由于卷式電鍍線效率高,在實際應用中更多。
由于引線框架對電鍍表面的質量,包括電鍍層的厚度、光亮度、粗糙度、潔凈度等都有較高的要求,因此引線框架電鍍生產線的管理需要嚴格控制。
1 引線框架電鍍生產線的現場管理
傳統的電鍍車間,給人的印象是污水橫流、氣味較重,但引線框架電鍍時,必須保證電鍍面的潔凈,因此要求電鍍生產線作特別管理。
1.1 電鍍生產線廢氣的管理
電鍍生產線產生的廢氣中包含水蒸氣、酸堿及氰化物混合物等,濃度過大,對操作人員的身心有較大傷害,且影響操作的積極性,同時對設備也有腐蝕和損壞。目前的處理方式主要包括以下幾個方面。
(1)設備槽體上安裝蓋板,可以減少電鍍廢氣的逸出。
(2)控制電鍍溶液的溫度,盡量采用低溫的工藝,減少藥品加熱的工序。
(3)在設備上不安裝抽風管,通過外部的廢氣塔,完全抽走電鍍線產生的廢氣;抽風管安裝時,考慮到廢氣冷卻后,凝水倒流到槽體引起污染的可能性。
1.2 電鍍生產線用水的管理
電鍍槽中需要不斷添置水量,控制不當,會使溶液漫出,進而導致整個電鍍車間地面濕滑,且腐蝕地面和設備地腳部分。目前的處理方式主要包括以下幾種(圖1)。
(1)所有電鍍線的下部槽安裝液位感應計,當液位超過警戒線時,自動報警,提醒作業者停止加水。
(2)進水或液位補加全部換為自動添加裝置,避免添加過量導致溶液漫出。
(3)做好日常液位的點檢記錄,對泵異常或管道破損及時修復。
1.3 電鍍生產線人員的管理
目前,引線框架電鍍線基本都是自動化操作,但異常處置或者工藝調節時,仍離不開操作人員。對操作人員對設備的熟悉程度或者作業人員的盡職程度要求較高。管理方式包括以下幾方面。
(1)定期對電鍍線現場人員的技術能力、管理能力等進行培訓,滿足實際生產需要。
(2)建立個人職責說明書,明確各個生產線、各道工序重點關注的事項。
(3)建立定期巡查制度,保證異常點被及時發現,并得到盡快處理。
2 電鍍生產線過程關鍵參數的管理
電鍍質量的關鍵指標包括:電鍍層厚度、電鍍層光亮度、電鍍區域及特殊功能要求(包括防變色、防銀膠擴散要求等)。為了滿足相關指標,必須對電鍍生產線的過程關鍵參數進行特別管理。
2.1 電鍍生產線槽體濃度的管理
電鍍溶液是電鍍時最重要的管理參數,管理要點包括以下幾點。
(1)建立電鍍線工藝標準,明確各道工序需要的藥品名稱、配置周期、管理濃度范圍、添加次數等內容。
(2)設置專門的藥品分析室,定時對在線溶液抽樣分析濃度,確保濃度控制在一定范圍內。
(3)對于定量補加的藥品,如添加劑等,利用自動藥品添加裝置,保證藥品添加周期的穩定。
(4)建立濃度分析趨勢圖,確保濃度的穩定。
2.2 電鍍生產線電流的管理
在電鍍工序,電流密度的大小直接決定電鍍質量的優劣。一般而言,若電流過大,在產品的尖端或末梢部位容易出現瘤狀或樹枝狀結晶;如電流密度繼續升高,則由于析氫,材料附近的pH升高而形成氫氧化物,吸附或夾雜在鍍層中,致使形成海綿狀鍍層(圖2)。
電流主要從以下幾點管控。
(1)選用合乎規范、性能穩定的整流器;如日本的三色整流器,使用壽命長,且輸出電流穩定。
(2)整流器或設備電流調節部位設置自動報警裝置,通過設置電流管理的上下限報警,可以及時發現生產過程中的異常產品,防止流入客戶處。
(3)定期更換電極或電線,減少電流傳送過程的損耗,避免產生高電壓。
(4)選用合理的電流波形,在引線框架電鍍時,一般選用脈沖電源,因為在電鍍過程中,脈沖電源可通過改變其輸出波形的頻率、占空比和平均電流密度,來改變電鍍槽中金屬離子電沉積過程,使電沉積過程在較寬范圍內變化,從而可獲得均勻致密、較為理想的鍍層(圖3)。
其工作原理如下。
―Ton:表示脈沖電流導通時間,又名脈沖寬度,由金屬離子的擴散速度和在材料表面放電速度決定。
―ToFF:表示脈沖電流關斷時間,由鍍層金屬離子的擴散速度所控制的材料擴散層的消失速度決定。
―T=Ton+ToFF,表示脈沖電流脈沖周期。
―Tr:表示脈沖電流上升時間。
―Tl:表示脈沖電流穩定時間。
―Tf:表示脈沖電流跌落時間。
2.3 電鍍生產線溫度的管理
電鍍溶液的溫度,影響到產品的反應速度。當溫度升高時,溶液的電導率增加,槽電壓降低,從而增大溶液的分散能力,使鍍層均勻分布。但溫度過高,使溶液中的光亮劑分解,會降低電鍍后產品的光亮度。溫度主要從如下幾個方面管控。
(1)選用合適材料的槽體,如HTPVC(耐高溫聚氯乙烯)材料,即溶液焊接,保溫性好,且耐溫在80℃以上,是常用的材料。
(2)槽體內安裝溫度上下限報警裝置,提醒作業者溫度過高或過低。
(3)選用合適的加熱裝置,如常見的鐵氟龍的盤式加熱器,以及價格較低的不銹鋼L型加熱器。
2.4 電鍍生產線溶液攪拌的管理
電鍍是一個動態變化的過程,電鍍發生時,溶液中局部的濃度會發生變化。攪拌會加速溶液的對流,使陰極附近消耗了的金屬離子得到及時補充和降低陰極的濃差極化作用,因而在其它條件相同的情況下,采用攪拌后,可以提高允許的陰極電流密度上限值,在較高的電流密度和較高的電流效率下得到細致緊密的鍍層。攪拌常用的是采用活性炭或PP線纏繞式過濾器(圖4)。主要管理要點如下。
(1)使用活性炭過濾器時,注意使用的時間;若時間過長,會影響電鍍溶液中的添加劑含量,進而影響電鍍層的質量。
(2)使用PP線纏繞式過濾器,必須定期更換,保證過濾循環效果。
3 電鍍生產線異常時的處置方式
當異常發生時,作業者需嚴格按照既定的處置方式實施,一般而言,需建立如下的處置流程(圖5)。
通過建立異常處置流程,可以保證問題解決的效果和及時性。
4 結語
通過對電鍍生產線和過程關鍵參數的管控,保證了電鍍過程的連續和穩定;因此,電鍍生產線的管理結果直接決定電鍍產品的質量,是引線框架制造企業內部管理的關鍵部分。
參考文獻
[1] 張允誠,胡如南,向榮.電鍍手冊[M].北京:國防工業出版社,1998.
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[3] 賀巖峰,趙會然,孫江燕.引線框架高速錫鉛電鍍添加劑的研究[J].電子工藝技術,2004(5):216-218,221.
[4] 葉方,高雪松.集成電路封裝中引線框架使用要求[J].電子與封裝,2003(2):26-29.
1高精度輪式點鍍模具加工方案
電鍍輪做高速旋轉運動,其內部放置陽極噴頭,通過噴射貴金屬鍍液對待鍍材料帶進行局部點鍍。待鍍材料帶以相同的線速度跟隨電鍍輪走料,其上有壓力可調的柔性掩模帶,以保證材料帶緊貼模具。電鍍輪制造中最為常見的問題是電鍍輪的形位精度低、尺寸精度差。現代高速生產中材料帶的速度為15m/min左右,換算到電鍍輪上大約為1~2r/s。此速度下電鍍輪的圓跳動比較明顯,造成生產中材料帶顫抖并出現皺紋或卷帶,使得產品質量及生產進度受到影響。另外,由于電鍍輪制造精度不高,為彌補可能產生的鍍區誤差,必須對點鍍區域進行適當擴大,以保證高質量的鍍層能夠覆蓋實際需要的區域,這使得貴金屬鍍液的消耗增加。只要提高電鍍輪及模具的制造精度,就能提高生產效率并降低生產成本,同時還能減少貴金屬鍍液的消耗,從而減少污染。本文提出一個具有實際使用價值的高精度輪式點鍍模具加工方案:將現有的輪式點鍍模具的加工精度提高,最終提高點鍍產品的生產質量及生產效率。
1.1獲得引線框架單元的準確尺寸
引線框架的尺寸直接影響電鍍輪的尺寸設計。實際生產中,引線框架的尺寸會隨著模具訂單一同送達,但是僅憑這樣的數據是無法精確設計電鍍輪的。精確的電鍍輪設計尺寸來源應該是生產中的引線框架材料帶。引線框架通常較薄、容易變形,傳統的測量方法是通過卡尺對每個尺寸進行簡單測量。當設計及制造對測量精度的要求較高時,這種測量方法的效率低,而且測量精度不足以保證精確設計[3]。現采用如下方法進行測量:使用分辨率為1μm的影像測量儀對生產線使用的引線框架帶材進行連續n個引線框架單元的長度測量,獲得的長度精確到微米級別,再除以n就是每個引線框架單元的長度,以mm為單位,保留小數點后4位。圖1為引線框架帶材樣品。如圖1所示,每個單元的精確尺寸由連續材料帶上的多個單元測量得到,保證了數據在較大尺度之下的精確與穩定,獲得的尺寸數據為L。
1.2精確計算電鍍輪工作面的直徑
在一個電鍍輪的工作面周長上安排的遮掩模具定為奇數N,這樣在長期的旋轉中不容易導致周期性的震顫。很多電鍍輪生產企業對于電鍍輪工作面直徑設計,通常是計算過程中沒有考慮生產的實際情況,直接使用NL/π作為電鍍輪工作面的直徑。這個計算失誤在于獲得數據L的溫度是常溫,而電鍍輪工作環境溫度根據鍍液的不同大致在80~120℃,此時引線框架及電鍍輪的尺寸都會因溫度的升高而變大。電鍍輪的制造材料是聚醚醚酮,而引線框架的材料是銅基合金,這兩種材料的熱膨脹系數不同,導致工作條件下帶材和電鍍輪接觸面長度出現差異,這在高精度制造中是不可忽略的[4]。由于定位誤差導致的帶材卷帶事件常有發生。為了避免帶材起皺或卷帶,應加大定位容許誤差,但最終鍍區的尺寸精度下降。為解決在工作環境下帶材和電鍍輪的尺寸偏差,現提出如下的電鍍輪制造尺寸精確公式:DC=NL(1+αY(TG-TC))π(1+αP(TG-TC))(1)式中:DC為常溫下的電鍍輪直徑;N為電鍍輪一周布下的硅膠模個數;L為單個引線框架的圓周方向長度,來源于上一步的測量;αY為引線框架材料的熱膨脹系數;αP為電鍍輪材料的熱膨脹系數;TG為電鍍輪的工作溫度;TC為常溫。這個公式的作用在于保證引線框架材料帶與電鍍輪的工作面在工作溫度時的對應長度完全重合,從而保證了加工定位的準確性。此計算結果與忽略溫度的計算結果相差0.3%左右,在高速旋轉下這樣的差異不可忽略。此計算結果保留小數點后3位,單位為mm。
1.3電鍍輪的精確加工方法
在實際生產中經常有這樣的情況:生產一段時間之后電鍍輪的圓度下降,帶料起皺或者被拉扯,生產質量嚴重受到影響。這些問題的根源來自電鍍輪制造時的粗疏。很多電鍍模具制造企業都用聚醚醚酮作為電鍍輪的制造材料,制造電鍍輪時直接把聚醚醚酮坯料裝夾在加工中心上進行加工。而實際上,聚醚醚酮在強度上還是和金屬材料有一定的差距。在加工過程中直接對聚醚醚酮進行裝夾加工而導致的整體細微變形,最后在生產中被逐漸放大,致使生產質量下降。本文給出一種能夠保證電鍍輪長時間工作而不變形的加工方法:首先,夾持坯料左側,加工出右面平面并同時鉆孔攻絲;然后,用45#鋼制造一個圓盤,鉆上同樣的孔位置并攻絲,把坯料卸下并用螺釘緊固在鋼制圓盤之上;再次裝夾時夾緊鋼盤進行加工,注意最后去掉初次裝夾時夾緊的坯料區域,保證遠離電鍍輪最左端50mm以上即可。此方法利用一個鋼盤替代聚醚醚酮坯料進行裝夾,避免了加工裝夾對產品的應力殘留,保證了電鍍輪產品長時間工作后形位精度不改變。電鍍輪加工精度在0.01mm以下即可,普通四軸加工中心的加工精度都能達到這個要求。電鍍輪最重要的工作面加工完畢之后不再裝夾,而是直接對遮掩模槽位進行加工。應注意,電鍍輪上的螺孔必須和最終生產設備上的驅動裝置匹配,這樣就完全實現工作狀態的動平衡,在高速旋轉中不會出現太大的振動。
1.4創新的遮掩模設計
實際上對點鍍區域進行的位置控制,最終還是依靠柔性材料遮掩模實現,因此,遮掩模的設計直接影響點鍍區域的尺寸精度。目前多數點鍍模具制造企業制造的雙組分硅膠遮掩模都存在點鍍區域邊緣細微滲漏,導致產品鍍區邊緣模糊,甚至非鍍區的背面也有部分滲漏。為解決鍍區附近的貴金屬滲漏及模糊邊緣問題,現提出如下遮掩模設計改進方案:在遮掩模的工作開口部分增設一圈高0.10mm、寬0.12mm的刃口,并進行倒圓處理。這樣在掩模帶的壓力下,刃口能夠完全封閉住貴金屬鍍液的滲漏,產生鮮明銳利的鍍區邊緣,提高產品質量,保證鍍區尺寸精度。此遮掩模由雙組分硅膠制成,制造過程應注意尺寸是否縮水。由于材料本身的特性,其能保持正常生產的效果為十個月左右,此后必須更換新的遮掩模。
1.5陶瓷定位釘的選擇
陶瓷定位釘是電鍍模具特殊的專用零件,它直接影響引線框架帶材在電鍍輪上的相對位置。目前行業通常使用D1.50mm的陶瓷定位釘,而定位孔為1.60mm,如此大的空隙是為了容納設計與制造中的不準確帶來的誤差。如果嚴格執行之前的設計與制造流程,可以使用D1.56mm的陶瓷定位釘。這樣鍍區將會被嚴格定位限制,加上之前的遮掩模精確尺寸設計,就會有精度極高的鍍區邊緣尺寸控制。嚴格執行以上五個步驟,能夠把鍍區尺寸精度控制在單邊偏差0.03mm之內,而目前行業內通常的精度為單邊偏差0.20mm,在精度上提升了一個數量級,能夠更好控制產品的質量及生產成本。圖2為完成的輪式點鍍模具。圖2中可見白色定位釘。
2結語
本文主要的關注點在于解決生產實際中的問題,提高點鍍模具產品的生產精度及質量。只要注意各個細節,在尺寸設計、產品加工、遮掩模邊緣精度提高、帶材定位等方面都提出完全創新性的解決方案,是能夠提高電鍍輪整體制造精度的。這些解決方案都是緊貼工作環境、針對現實問題而提出的,能夠有效提高點鍍模具的生產精度,進而直接提升引線框架產品的鍍區質量、尺寸精度,并減少鍍液損失。
作者:邱偉華 單位:柳州職業技術學院
參考文獻:
[1]馮小龍.連續高速電鍍技術在集成電路引線框架生產中的應用[J].電鍍與涂飾,2003,22(6):48-51.
[2]楊占堯,秦歌,翟振輝.金屬噴鍍法快速制作金屬模具方法研究[J].河南機電高等專科學校學報,2001,9(2):1-5.
【關鍵詞】QFN PCB 焊盤設計
1 QFN封裝
近幾年來,由于QFN封裝(Quad Flat No-lead package,方形扁平無引腳封裝)具有良好的電和熱性能、體積小、重量輕,其應用正在快速增長。采用微型引線框架的QFN封裝稱為MLF(Micro Lead Frame,微引線框架)封裝。QFN是無引腳封裝,它有利于降低引腳間的自感應系數,在高頻領域的應用優勢明顯。QFN外觀呈正方形或矩形,大小接近于CSP(Chip Size Package,芯片尺寸封裝),QFN封裝和CSP相似,但元件底部沒有焊球,與PCB的電氣和機械連接是通過PCB焊盤上印刷焊膏經過回流焊形成的焊點來實現的;如圖1所示。
2 焊盤設計
QFN的中央裸焊端和周邊I/O焊端組成了平坦的銅引線結構框架,再用模鑄樹脂將其澆鑄在樹脂里固定,底面露出的中央裸焊端和周邊I/O焊端,均須焊接到PCB上。PCB焊盤設計應該適應工廠的實際工藝能力,以求取得最大的工藝窗口,得到良好的高可靠性焊點。針對QFN中央裸焊端而設計的PCB散熱焊盤,應設計導熱過孔連接到PCB內層隱藏的金屬層。這種通過過孔的垂直散熱設計,可以使QFN獲得完美的散熱效果。
2.1 周邊引腳的焊盤設計
PCB 周邊引腳焊盤的設計應比QFN的周邊引腳焊端稍大一點,如果QFN焊盤為圓形,PCB焊盤內側也應設計成圓形以配合焊端的形狀。如果PCB有設計空間,周邊引腳焊盤的外延長度(Tout)大于0.15mm,可以明顯改善外側焊點形成,如果內延長度(Tin)大于0.05mm,則必須考慮與中央散熱焊盤之間保留足夠的間隙,以免引起橋連。典型的QFN元件PCB周邊引腳焊盤推薦尺寸如下表1所示。
2.2 中央散熱焊盤設計
QFN封裝具有優異的熱性能,主要是因為封裝底部有大面積散熱焊盤,為了能有效地將熱量從芯片傳導到PCB上,PCB底部必須設計與之相對應的散熱焊盤和散熱過孔。散熱焊盤提供了可靠的焊接面積,過孔提供了散熱途徑。
2.3 阻焊層的結構
阻焊層設計目前有兩種阻焊層設計類型:阻焊定義的焊盤SMD(Solder Mask Defined)和非阻焊定義的焊盤NSMD(Non-Solder Mask Defined)如圖2所示。
建議使用NSMD阻焊層,阻焊層開口應比焊盤開口大120~150μm,即焊盤銅箔到阻焊層的間隙有60~75μm,這樣允許阻焊層有一個制造公差,通常這個公差在50~65μm之間。每個焊盤應單獨設計阻焊層開口,這樣可以使相鄰焊盤之間布滿阻焊層,阻止相鄰焊盤之間形成橋連。但是,當引腳間距小于0.5mm時,引腳之間的阻焊可以省略,即將處于一邊的所有焊盤統一設計一個大的開口,相鄰焊盤之間沒有阻焊層。
3 結語
QFN元件因其獨特的封裝形式造就了其快速增長的應用,QFN元件的PCB焊盤設計對焊點的形成質量有至關重要的影響,因此,為了保證產品質量和提高產品的可靠性,本文就QFN封裝元件的特點及各焊盤設計進行了分析和總結。希望借助于本文,能夠對QFN元件的PCB焊盤設計提供一定的參考和幫助。
參考文獻:
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1 與傳統塑封模具性能對比
多注射頭塑封模與傳統單缸模相比主要有以下優點:
(1)采用等流長沖填,產品質量穩定
單缸模具采用一個加料腔注射,樹脂由近到遠先后充填型腔、由于環氧樹脂須在高溫高壓下在一定的時間范圍內快速充滿型腔,樹脂在充填過程中由粘流態向玻璃態轉變,流動性能逐漸變差,在流道末段的型腔壓力損耗大,型腔內樹脂成型條件惡劣、因此在遠離加料腔的產品易出現氣泡、氣孔、注不滿、金絲沖彎率超標等現象,模具成型工藝調整范圍窄。
多注射頭模具則可有效避免此現象,它采用多個加料腔同步注射,樹脂同時充填型腔,制品封裝質量高,封裝工藝穩定,成型工藝調整范圍寬。但多注射頭模具需解決多個注射頭同步工作時,因每個加料腔中樹脂體積誤差造成的沖填疏松問題,因為一般塑封料在打餅后重量誤差為±0.2克, 如比重為2.0克/cm3,直徑為φ13mm的小樹脂其對應φ14mm的料筒在注射后,料筒中樹脂殘留將有1.3mm的高低差。如果注射頭設置為剛性結構則樹脂體積多的料筒對應的型腔能充滿,而樹脂體積少的料筒對應的型腔則會出現產品疏松的問題,因此多注射頭模具的每個注射頭下一般設置彈簧或液壓的緩沖機構以解決剛性注射問題。
(2)樹脂利用率高
多注射頭模具流道短,流道截面積小,如果做同一種產品,相對傳統單缸模具而言,則多注塑頭模具使用樹脂利用率高,可為客戶節約成本。
(3)生產效率高
多注射頭模具采用免預熱型小直徑樹脂(Φ10~Φ18),而單缸模具采用預熱型大直徑樹脂(Φ35~Φ58),因此樹脂成型固化時間差異較大,一般多注射頭模具為60~90秒,而單缸模具為120~180秒,因此生產效率提高了一倍以上,滿足封裝廠家對產品質量和產量的不斷追求。
(4)型腔更換維護方便
單缸模的模盒與模板之間采用銷釘與螺釘進行固定,如型腔損壞更換,拆裝時間較長,一般在5小時左右。而多注射頭塑封模的模盒與模板之間一般采用導軌固定,如型腔損壞只需將模盒從導軌中抽屜一般抽出即可,更換維護時間在1.5小時左右。
轉貼于 2 多注射頭模具注射壓力的設定
一般我們需要通過塑封樹脂的特性確定塑封時的實際壓力,從而計算出壓機設定的表頭壓力。因為每副多注射頭模具的注射油缸大小、數量及注射頭的大小、數量不同,及機械損失和壓力表誤差等影響,因此要進行適當的計算來設定壓機的表頭壓力,從而滿足塑封工藝參數的需要。
計算公式如下:
Pc=壓機表頭壓力 (kg/cm2),Np=注射頭數量,Dp=注射頭直徑 (cm),Nc=注射油缸數量,
Dc=注射油缸缸徑 (cm),Pp=包塑時樹脂所需的成形壓力一般在60~120kg/cm2范圍內,具體根據樹脂特性選定,1.1=安全系數。
例:當注射頭數量為28個,直徑為φ14mm,油缸數量為1個,缸徑為φ120mm,樹脂成形壓力為100kg/cm2,
則表頭壓力=
3 模具系列
為適應不同產品的要求,多注射頭塑封模具目前有以下幾種結構。
3.1 標準多注射頭塑封模具
模具設置4組~8組模盒,每個模盒二條引線框架,加料腔設計在中心鑲件上,數量根據L/F特點設置,使用免預熱型小直徑樹脂。模盒采用快換式結構,注射機構快換,注射推板的平衡采用齒輪齒條及自導柱導套結構,油缸一般采用二個φ80mm缸徑的油缸。
結構:料筒設置在下模模盒中;注射頭組件采用快換結構;模盒快換。
注射方式:下注式。
注射動力:下模內置油缸。
使用塑封料:免預熱型塑封料(直徑φ9~φ18)。
適用產品:TSOP、QFP、SOT、SOP、BGA等中高檔產品。
3.2 下中心澆道板式多注射頭塑封模
模具設置6組~8組模盒,每個模盒二條引線框架,加料腔設計在模具中心位置上,數量根據L/F特點設置,使用免預熱型小直徑樹脂。模盒與注射機構一般不采取快換結構,注射推板的平衡采用自導柱導套結構,油缸一般采用一個φ63mm缸徑的油缸。
結構:料筒設置在下中心澆道板內,注射頭座固定在注射推板上。
注射方式:下注式。
注射動力:下模內置油缸。
使用塑封料:免預熱型塑封料(直徑φ9~φ18)。
適用產品:SOT、SOD、片鉭類、TR類產品。
3.3 上中心澆道板式多注射頭塑封模
模具一般設置6~8組模盒,料筒設計在上模中心鑲件上,數量根據L/F特點設置,適用免預熱型小直徑樹脂。模盒采用快換式結構,注射推板的平衡采用齒輪齒條及自導滑塊結構,模具內無油缸,注射動力來自壓機的注射油缸。使用注意事項:模具每次在升溫重新生產前,需通過上下模架二端邊擋塊的緊定螺釘將組件與澆道板頂死,確保封裝時鑲件與澆道板之間不溢料,防止產品X向錯位。針對產品SOD、SOT、鉭電容等引線框架寬度較窄產品。
結構:料筒設置在上中心澆道板內,注射推板與壓機注射桿連接。
注射方式:上注射式。
注射動力:壓機注射油缸。
使用塑封料:免預熱型塑封料(直徑φ9~φ18)。
適用產品:SOD、片鉭和TO類產品。
3.4 大料餅多注射頭封裝模具
模具一般設置8組模盒,二個料筒,適用傳統單缸模用預熱型大直徑樹脂。模盒采用快換式結構,注射推板的平衡采用齒輪齒條及自導滑塊結構,油缸一般采用二個φ80mm缸徑的油缸,行程70mm左右。使用注意事項:模具每次在升溫重新生產前,需通過上下模架二端邊擋塊的緊定螺釘將組件與澆道板頂死,確保封裝時鑲件與澆道板之間不溢料,防止產品X向錯位。針對產品SOD、TO、DIP、鉭電容等單排產品。
結構:料筒設置在下中心澆道板內,料筒數量在3只以下。
注射方式:下注射式。
注射動力:下模內置油缸。
使用塑封料:普通預熱型塑封料(直徑φ35~φ58)。
適用產品:TO類產品,如TO-92,TO3P,TO263等。
4 技術關鍵
多注射頭模具注射推板的平衡;硬質合金料筒、注射頭的壽命及注射動力的平衡設計是多注射頭模具可靠、穩定生產的關鍵,下面逐一介紹。
4.1模具注射推板平衡機構
多注射頭模具使用的穩定性關鍵點之一在于注射推板平衡機構工作的穩定,由于多注射頭塑封模在高溫、多塵環境下工作,因此設計時一般采取齒輪、齒條嚙合的方式確保動作順暢。如下圖
轉貼于 4.2 硬質合金料筒、注射頭的壽命
注射頭、料筒硬質合金材料優選高耐磨、超細微顆粒的硬質合金,既要考慮硬度也要考慮韌性,如我司開始使用的富士F10材料就因為脆性較大,易出現崩裂問題,壽命不高。后降低硬度改為F20后,注射頭、料筒的使用壽命得到顯著提高;另外需強調注射頭連接內螺紋孔加工的合理性,若采用燒結成型的螺紋,由于牙形角不規則,牙底尖角應力集中,使用壽命較低,容易出現拉斷現象,因此要求注射頭內螺紋采用電火花加工,牙底尖角圓弧過渡,則改善了注射頭因螺紋孔加工不規范造成拉傷現象的發生。
4.3 注射動力的平衡設計(油路的平衡)
多注射頭模具的推板一般采用二個油缸負責頂出與復位,因此設計時應該考慮油缸活塞同步上下,油路設計時不能采用串聯式進油,而須采用并聯式進油,確保注射推板受力平衡,工作穩定。
關鍵詞:《1Q84》;雙線框架;人物形象
中圖分類號:I106文獻標識碼:A文章編號:1005-5312(2011)32-0088-01
《1Q84》是日本作家最新創作的一部長篇小說,并同以往其他作品一樣以其獨特的魅力而備受讀者矚目。
雙線結構是村上創作上的一個重要創作特征。特別是現實與非現實交織的兩條線經常出現在他以往的作品中,例如《世界盡頭與冷酷仙境》中的“世界盡頭”與“冷酷仙境”,《挪威的森林》中的直子與綠子,《斯普特尼克戀人》中的現實社會與敏的一半即堇去《另一個世界》, 而作為主人公的“我”往往游走于現實與非現實之間。村上通過描寫的兩個世界的相互撞擊,以非現實印證現實, 以荒誕表現理性, 在充滿寓意和象征的張力中展現出現代人無根基的生存狀態, 表現出他們的困惑與悲哀, 凸現出現代人性中最真實的一面。
在《1Q84》中, 村上嘗試了新的創作形式, 仍然是描述現實與非現實的兩個世界――984 和“1Q84“,描述了同樣平行在1Q84的世界里生活的兩個人――青豆與天吾。但是與之前不同的是, 村上采取了一向少用的第三人稱敘述方式, 沒有第三者(在過去通常是“我”) 在現實與非現實中游走, 起穿針引線的作用, 而是用處于1Q84的世界中的特殊事物――兩個月亮、天驅與“空氣蛹”將青豆與天吾的故事串接起來, 并在BOOK2 的最后部分達到了短暫的時空重逢――青豆與天吾的世界, 終于交織在了一起。
青豆和天吾的童年情竇成為了一條隱線,10 歲時的一次牽手,20 年的漫長等待,30 歲的最后一次遠遠相望,末了還是青豆不嫁、天吾不娶,這便是青豆與天吾關系形態的全部。拆解作品的結構可以知道,作為男女主人公,沒有這個大框架維系二者關系,對于整個作品是不可思議的。然而,在這個框架之內,這兩個人物的故事實際上均系一種相對獨立的存在,而且無不是以彼此關系之外的內容為主體建構的。“在兩年的持續寫作過程中,我從未動搖過完成這部作品的信念。我要把它設定成10歲時相見、30 歲時相互尋找的男女主人公的單純的故事,并盡量把它擴大化,再使它復雜起來。”
現實性與非現實性、天吾和青豆在雙線中相互影響又相互區別, 作品細節的現實性, 包括非現實的現實性, 使他小說中的虛幻故事產生了一種現實感, 純屬虛幻的夢幻般的場景因此歷歷在目, 栩栩如生。
天吾長得人高馬大,但是性格謹小慎微。在對待世界的方式上,他基本上是屬于被動型的。在編輯小松的慫恿下,他無奈被動地充當了小說《空氣蛹》的加工者,做了一回的角色。在兩性關系上,他也更多的是選擇逃避。相比而言,他更愿意和比他年長的女往來避免承擔太多責任。而造成天吾的這種孤僻、退縮的懦弱性格的正是童年時緊張的父子關系,以及很小的時候母親和陌生男人幽會的場景給他帶來的精神上的創傷。
天吾有兩個角色――升大學的補習班數學教師和作家。這兩個角色帶給他不同的人生體驗。在他在數學中可以找到拋棄外面紛繁復雜的世界、現實生活的不快,以及在現實生活所不能獲得的自信的方法。然而,數學是一個虛擬的世界,這個世界并不真實,更無法與真實世界勾連。而寫作成為天吾與世界發生聯系的唯一的也是最佳的方式。所以當他被《空氣蛹》這部作品里面的情節徹底征服,《空氣蛹》為他打開另外一個不可思議的精神世界后,“不喜歡賭博和冒險”的他,毅然決定愿意冒著很大的風險接受修改《空氣蛹》的寫作計劃。相對于天吾的消極厭世,漂亮健康的青豆卻是一位積極的存在者。雖然,她和天吾一樣,有著一個 “一無所有、不自由并且貧窮”的童年,但是她積極把握自己的命運。她對父母所屬的宗教世界和思想深惡痛絕。
此外,她確認自己存在方式與天吾不同。與天吾遨游在自己的精神世界不同,她更在意的是自己的身體這樣看得見、摸得著的東西,青豆是一名體育老師,她懂得如何通過鍛煉和針灸來讓身體更加性感和可愛。小說中有多次描寫她通過鏡子對自己的身體的觀察,她的漂亮的身體也給了她很多自信和滿足。她相信肉體比靈魂更重要,這個世界唯一可以給她溫暖,能夠使她安心的就是她的身體。在她看來,“肉體才是人的神殿,不管在那里祭祀什么,它都應該更強韌、更美麗清潔”。這是青豆不可動搖的信念。正是因為有了這樣的信念,我們才能夠真正理解為什么她心里雖然唯一愛著的人是天吾,但是卻能毫無障礙地跟不同的男人上床。她跟男人,并不真的是出于喜歡或者愛情,而是身體的需要。她忠實地傾聽發自自己身體內部的聲音,尊崇自己身體的選擇。這是她證明自己存在的方式。
一、充分認識加快發展集成電路產業的重要性
集成電路產業對于現代經濟和社會發展具有高倍增性和關聯度。集成電路技術及其產業的發展,可以推動消費類電子工業、計算機工業、通信工業以及相關產業的發展,集成電路芯片作為傳統產業智能化改造的核心,對于提升整體工業水平和推動國民經濟與社會信息化發展意義重大。此外,微電子技術及其相關的微細加工技術與機械學、光學、生物學相結合,還能衍生出新的技術和產業。集成電路技術及其產業的發展已成為一個國家和地區調整產業結構、促進產業升級、轉變增長方式、改善資源環境、增強競爭優勢,帶動相關產業和領域跨越式發展的戰略性產業。
*省資源環境良好,集成電路設計和原材料生產具有比較優勢,具有一批專業從事集成電路設計和原材料生產的企業及水平較高的專業人才隊伍。*省消費類電子工業、計算機工業、通信工業以及利用信息技術改造傳統產業和國民經濟與社會信息化的發展為集成電路產業的發展提供了現實需求的空間。各級、各部門要高度重視集成電路產業的發展,有基礎有條件的地區要充分發揮地域優勢、資源優勢,加強規劃,因勢利導,積極組織和推動集成電路產業發展,加快招商引資步伐。省政府有關部門要切實落實國家和省扶持集成電路產業發展的各項政策,積極推動和支持*省集成電路產業的發展。
二、發展思路和原則
(一)發展思路。根據*省集成電路產業發展的基礎,當前以發展集成電路設計和原材料生產為重點,建成國內重要的集成電路設計和原材料生產基地。以內引外,促進外部資金、技術、人才和芯片加工、封裝、測試項目的進入,建立集成電路生產基地。
1.大力發展集成電路設計。充分發揮*省高校、科研單位、企業集成電路設計的基礎優勢,加快集成電路設計企業法人資格建立和集成電路設計企業資格認證的步伐,與信息產業和其他工業領域及國民經濟與社會信息化發展相結合,促進科研、生產、應用聯動,建立科研、生產、應用、服務聯合體,形成有利于集成電路設計企業成長和為企業生產發展服務的體制和機制,促進一批已具備一定基礎的集成電路設計企業盡快成長起來。進一步建立和完善有利于集成電路產業發展的政策環境,構筑有利于集成電路產業發展的支撐體系和服務體系,加強與海內外的合作與交流,加快人才培養和引進,加大對集成電路設計中心、公共技術平臺、服務平臺、人才交流培訓平臺建設的投入,重點培植3—5家集成電路設計中心,使之成為國內乃至國際有影響力的企業。加強人才、技術、資金、企業的引進,形成一大批集成電路設計企業和人才隊伍。密切跟蹤國際集成電路發展的新趨勢,大力發展和應用SOC技術、IP核技術,不斷提高自主創新能力,在消費類電子、通信、計算機、工業控制、汽車電子和其他應用電子產品領域形成發展優勢。
2.加快發展集成電路材料等支撐產業。以當前*省集成電路材料生產企業為基礎,通過基礎設施建設、技術改造、引進技術消化吸收再創新、合資合作和引導傳統產業向集成電路材料生產轉移,進一步壯大產業規模,擴大產品系列,增添新的產品品種,提高產品檔次。通過加快企業技術中心建設,不斷提高自主創新能力;通過拉長和完善產業鏈,積極發展高純水氣制備、封裝材料等上下游產品,提高配套能力;鼓勵半導體和集成電路專用設備儀器產業的發展。培養多個在國內市場占有率第一的自主品牌,擴大出口能力,把*省建設成為圍繞以集成電路用金絲、硅鋁絲、電路板用銅箔和覆銅板、柔性鍍銅板、金屬膜基板、電子陶瓷基板、集成電路框架和插座、硅晶體材料的研發和生產為主的集成電路支撐產業基地。
3.鼓勵發展集成電路加工產業。大力招商引資,通過集成電路設計和原材料生產的發展,促進省外、海外集成電路芯片制造、封裝和測試業向*省的轉移,推動*省集成電路芯片制造、封裝和測試產業的發展。
(二)發展原則。
1.政府推動原則。充分發揮各級政府在統籌規劃、宏觀調控、資源組織、政策扶持、市場環境建設等方面的作用,充分發揮社會各方面的力量,推動集成電路產業發展。
2.科研、生產、應用、服務聯動原則。建立科研、生產、應用、服務一體化體系,促進集成電路設計和最終產品相結合,集成電路設計和設計服務相結合,公共平臺建設和企業發展相結合,設計公司之間相結合,人才培訓和設計企業需求相結合。重點支持共性技術平臺、服務平臺、人才培訓平臺建設和科研、生產、應用一體化項目研發。
3.企業主體化原則。深化體制改革,加快集成電路設計中心認證,推動集成電路設計公司(中心)建設,建立符合國家扶持集成電路發展政策和要求的以企業為主體、自主經營、自負盈虧、自主創新、自*發展完善的集成電路產業發展體制和機制。
4.引進消化吸收與自主創新相結合原則。加強與海內外集成電路行業企業、人才的交流合作,創造適合集成電路產業發展的政策環境,大力引進資金、技術、人才,加快消化吸收,形成產業的自主創新能力,盡快縮短與發達國家和先進省市的差距。
5.有所為,有所不為原則。發揮*省優勢,重點發展集成電路設計、電路板設計制造和原材料生產,與生產應用相結合,聚集有限力量,聚焦可行領域,發揮基礎特長,形成專業優勢。
三、發展重點和目標
(一)發展重點。整合資源,集中政府和社會力量,建立公共和開放的集成電路設計技術服務平臺、行業協作服務平臺和人才交流培訓平臺。重點扶持建設以海爾、海信、浪潮、*大學、哈工大威海國際微電子中心、濱州芯科等在集成電路設計領域具有基礎和優勢的集成電路設計中心,建設青島、濟南集成電路設計基地,加快有關促進集成電路產業發展的配套政策、措施的制定,重點在以下領域實現突破。
1.集成電路設計業。以消費類電子、通信、計算機、工業控制、汽車電子、信息安全和其他應用電子產品領域為重點,以整機和系統應用帶動*省集成電路、電路板設計業的發展,培育一批具有自主創新能力的集成電路設計企業,開發一批具有自主知識產權的高水平的集成電路產品。
(1)重點開展SOC設計方法學理論和設計技術的研究,發揮其先進的整機設計和產業化能力,大力發展稅控收款機等嵌入式終端產品的SOC芯片,努力達到SOC芯片規模化生產能力。開發采用先進技術的SOC芯片,應用于各類行業終端產品。
(2)強化IP核開發標準、評測等技術的研究,積極發揮IP核復用技術的優勢,以市場為導向,重點研發MCU類、總線類、接口類和低功耗嵌入式存儲器(SRAM)類等市場急需的IP核技術,加速技術向產品的轉化。
(3)順應數字音視頻系統的變革,以數字音視頻解碼芯片和視頻處理芯片為基礎,突破一批音視頻處理技術,提高*國電視整機等消費類電子企業的技術水平和核心競爭力。
(4)集中力量開展大規模通信、網絡、信息安全等專用集成電路的研究與設計,力爭取得突破性成果。
(5)重點發展廣泛應用于白色家電、小家電、黑色家電、水電氣三表、汽車電子等領域的芯片設計,在應用電子產品芯片設計領域形成優勢。
(6)發揮*省在工業控制領域的綜合技術、人才力量及芯片研發軟硬件資源等方面的優勢,重點發展部分工業控制領域的RISC、CISC兩種架構的芯片設計,并根據市場需求及時研發多種控制類芯片產品,形成一定優勢。
2.集成電路材料等支撐產業。充分利用*省現有集成電路材料生產企業的基礎條件,加快發展集成電路材料產業。重點發展集成電路用金絲、硅鋁絲、引線框架、插座等產品,同時注重銅箔、覆銅板、電子陶瓷基片、硅晶體材料及其深加工等產品的發展,形成國內重要的集成電路材料研發和生產加工出口基地。支持發展集成電路相關支撐產業,形成上下游配套完善的集成電路產業鏈。
(1)集成電路用金絲、硅鋁絲。擴大大規模集成電路用金絲、硅鋁絲的生產規模,力爭到2010年占國內市場份額80%以上。
(2)硅單晶、硅多晶材料。到2010年,3-6英寸硅單晶片由現在的年產600萬片發展到1000萬片;單晶棒由目前的年產100噸發展到200噸。支持發展高品質集成電路用多晶硅材料,填補省內空白,至2010年發展到年產3000噸。
(3)集成電路引線框架。到2010年,集成電路引線框架生產能力由目前的年產20億只提高到年產100億只。
(4)電子陶瓷基板。通過技改和吸引外資等措施,力爭到2010年達到陶瓷覆銅板年產160萬塊、陶瓷基片年產30萬平米的能力。
(5)銅箔、覆銅板。到2010年,覆銅板由目前的年產570萬張發展到800萬張,銅箔由目前的年產8500噸發展到10000噸。
(6)相關支撐產業。通過引進技術和產學研結合等多種形式,積極發展集成電路專用設備、環氧樹脂等塑封材料、柔性鍍銅板和金屬膜等基材、高純水氣制備等相關產業。
3.加快大規模、大尺寸集成電路芯片加工和有關集成電路封裝、測試企業的引進。
(二)發展目標。經過“*”期間的發展,基本建立和完善有利于*省集成電路產業發展的政策環境、支撐體系和服務體系,建成20-30家集成電路設計中心、2個集成電路設計基地,形成一大批集成電路設計企業、配套企業、咨詢服務企業,爭取引進3—5家集成電路芯片制造企業。政府支持集成電路產業發展的能力進一步增強,社會融資能力進一步提高,對外吸引和接納人才、技術、資金的能力進一步提高,集成電路設計、制造對促進*省信息產業發展、傳統產業改造和提升國民經濟與社會信息化水平發揮更大作用,并成為*省信息產業發展和綜合競爭力提升的重要支撐。促進*省集成電路材料產業做大做強,使其成為國內重要的產業基地。
四、主要措施和政策
(一)加強政府的組織和引導。制定*省集成電路產業發展中長期發展規劃,實施集成電路產業發展年度計劃,《*省支持和鼓勵集成電路產業發展產品指導目錄》,引導產品研發和資金投向。各地要加強本地集成電路產業發展環境建設,結合本地實際制定有利于集成電路產業發展和人才、資金、技術進入的政策措施。各有關部門要加強配合,制定相關配套措施,形成促進集成電路產業發展的合力。參照財政部、信息產業部、國家發改委《集成電路產業研究與開發專項資金管理暫行辦法》,結合*省信息產業發展專項資金的使用,對集成電路產業發展予以支持。具體辦法由省信息產業廳會同省財政廳等有關部門制定。
(二)加強集成電路設計公司(中心)認證工作。推動體制改革和產權改革,鼓勵科技人員在企業兼職和創辦企業,通過政策導向促進集成電路設計公司(中心)獨立法人資格的建立。按照國家《集成電路設計企業及產品認定暫行管理辦法》的有關規定,加強對*省集成電路產品及集成電路企業認定工作。
(三)加強人才引進與培養。加強對集成電路人才的培養和引進工作,鼓勵留學回國人員和外地優秀人才到*投資發展和從事技術創新工作,重點引進在國內外集成電路大企業有工作經歷、既掌握整機系統設計又懂集成電路設計技術的高層次專業人才。對具有普通高校大學本科以上學歷的外省籍集成電路專業畢業生來*省就業的,可實行先落戶后就業政策,對具有中級以上職稱的集成電路專業人才來*省工作的,有關部門要優先為其辦理相關人事和落戶手續。要加強集成電路產業人才培養,建立多層次的人才培養渠道,加強對企業現有工程技術人員的再培訓。在政策和待遇上加大對專業人才的傾斜,鼓勵國內外集成電路專業人才到*發展,建立起培養并留住人才的新機制。
(四)落實各項優惠政策。各級、各部門要切實落實《關于印發鼓勵軟件產業和集成電路產業發展若干政策的通知》及各項優惠政策,將集成電路設計、生產制造和原材料生產納入各自的科研、新產品開發、重點技術攻關計劃及技術中心、重點實驗室建設計劃,并給予優先支持和安排。集成電路設計企業適用軟件企業的有關政策,集成電路設計產品適用軟件產品的有關優惠政策,其知識產權受法律保護。對于批準建設的集成電路項目在建設期間所發生的貸款,省政府給予貸款利息補貼。按照建設期間實際發生的貸款利率補貼1.5個百分點,貼息時間不超過3年;在政府引導區域內建設的,貸款利息補貼可提高至2個百分點。
等離子平板顯示器(PDP)由于具有視角寬、輕薄靈活、對比度高和屏幕尺寸大等優勢,已成為目前市面上領先的大尺寸平板顯示器。為使圖像有一個合理的亮度,大多數PDP都采用地址顯示分離(ADS)的驅動方式。這種方法包括直接復位、尋址和維持工作三個階段。其中,驅動PDP的大部分功耗都來自維持工作階段。因此,驅動PDP的功率開關是影響系統效率和尺寸的重要原因。
PDP平板包含了掃描(Y)電極和共用(x或z)電極,都覆蓋有電介質層,這樣PDP平板就等效于容性負載。故而,若無能量恢復電路而在這些電極上持續加載高壓大電流脈沖,在每一個周期的充放電瞬間,不可避免會產生額外的浪涌位移電流,從而造成很大的能量損耗。此外,這種浪涌電流還會滋生EMI噪聲,PDP驅動電路也要使用更高電流等級的功率開關。因此,必須要有一個能量恢復電路來解決這些問題。
PDP中最常用的維持驅動器是如圖1所示的Weber電路,它具有效率高和使用靈活的優點,適用于多種不同的驅動方式。在圖中,維持電路的兩個IGBT(或MOsFET)被用作傳統的半橋引腳,而內部集成FRD(快速恢復二極管)的能量恢復電路中的兩個IGBT構成通路開關。
PDP-SPM模塊的主要特性
PDP-sPM模塊能夠為PDP中的驅動系統、維持電路和能量恢復電路提供最優化性能。它集成了HVIC、緩沖器IC和帶有大電流能力的高速IGBT,構成PDP驅動電路,并帶有欠壓鎖定保護功能,可增強系統可靠性。高速內置HVIC能夠提供無光耦合、單電源IGBT柵極驅動能力,進一步減小系統尺寸。此外,緩沖器IC具有大電流柵極驅動能力,可讓IGBT在開關瞬間立刻完全導通。
PDP-SPM的主要特性包括:使用帶并聯FRD(快速恢復二極管)的高速300V IGBT;內置HVIC提供單端電源接地;為IGBT提供足夠的電流驅動能力,使用絕緣金屬基板降低漏電流;每分鐘1500V的額定隔離電壓;200kHz的典型開關頻率。
外部視圖及其電路結構
圖2所示為PDP-SPM模塊FVP18030M3LSG1與FVP12030M3LsG的內部電路示意圖。FVP18030M3LSG1的內部FRD與IGBT并聯,而FVP12030M3LSG1的內部FRD與IGBT串聯。由于PDP的維持電路在平板上構成全橋的逆變器,故需要如圖2(a)所示的一條續流路徑,而能量恢復電路需要如圖2(b)所示的FRD構成通路開關。
功能性描述
PDP平板的尺寸越大,電容也越大,因此在平板上會出現非常大的位移電流和放電電流。以50英寸全高清PDP為例,對于全白色圖樣,峰值放電電流接近350A,且只持續極短的時間,因此開關器件必須提供大電流和高速驅動能力。此外,較大尺寸的高分辨率PDP平板需要更高的工作頻率,因為它的尋址電極須被增強以確保電視在特定時間內顯示高分辨率的圖像。雖然目前50英寸全高清PDP的開關頻率一般只有200kHz左右,但下一代尺寸更大(如62英寸、70英寸或100英寸)的高分辨率PDP的頻率將會更高。
封裝結構
由于散熱特性是限制電源模塊電流能力的主要因素之一,故封裝的散熱特性與性能密切相關,但散熱和隔離特性之間存在著權衡取合的問題。封裝技術的優劣關鍵在于實現出色的散熱特性,同時不影響隔離等級。
PDP-SPM采用了圖3所示的絕緣金屬層IMS基板以提高熱性能,保證高至每分鐘1500v的額定隔離電壓值。而且,由于IC元件是安裝在引線框架而非IMS上,故可避免電源開關器件的熱損害,提高系統的可靠性。
實驗結果
圖4所示為PDP-SPM在50英寸全高清PDP的Weber電路中的應用實例。從圖中可看到,要構成PDP驅動系統的Weber電路,需要兩個FVP18030IM3LEG1組成維持電路和兩個FVPl2030IM3LEG1組成能量恢復電路。PDP-sPM還可用于PDP驅動系統中的并聯諧振電路和Weber電路等串聯諧振電路。
圖5所示為采用圖4中的應用電路時,PDP在主要維持期的電壓和電流波形圖。其中,上面兩圖的波形是運用在共用電極上以實現維持的觸發脈沖波形,下面兩圖的波形是采用50灰度圖樣時IGBT的電流波形。其開關頻率為200kHz,每一個IGBT的峰值電流為250A,能量恢復部分維持IGBT的電流為95A。采用全白色圖樣時,維持IGBT的峰值放電電流將增加到350A。
關鍵詞:封裝類型 封裝材料 封裝形式 封裝標準
中圖分類號:TN4 文獻標識碼:A 文章編號:1007-3973(2012)002-084-03
1 電子封裝的類型
電子封裝是指對電路芯片進行包裝,保護電路芯片,使其免受外界環境的影響的封裝。依據成型工藝來劃分①,電子封裝劃分為預成型封裝(pre-mold)和后成型封裝(post-mold)。依據使用的封裝裝材料來劃分,電子封裝分為金屬封裝、陶瓷封裝和塑料封裝。依據封裝外型來劃分②,劃分為單列直插式封裝(SIP,single in-line package)、雙列直插式封裝(DIP,dual in-line package)、有引線塑料芯片載體(PLCC,plastic-leaded chip carrier)、塑料四方型扁平封裝 (PQFP,plastic quad flat package)、小外形封裝(SOP,small-outline package)、薄小外形封裝(TSOP,thin small-outline package)、塑料針柵陣列(PPGA,plastic pin grid array)、塑料球柵陣列(PBGA,plastic ball grid array)、芯片級封裝(CSP ,chip scale package)等。如果按第一級與第二級連接方式來劃分,就劃分為插孔式(或通孔式)(PTH,pin-through-hole)和表面貼裝式SMT(surface-mount-technology)。
2 封裝材料的發展
2.1 金屬封裝③
金屬封裝是將分立器件或集成電路置于一個金屬容器中,用鎳作封蓋,并鍍上金屬,是半導體器件封裝的最初的形式,適合于低I/O引腳數的封裝。在散熱方面,很多封裝也都用金屬作為散熱片或者熱沉。金屬材料多數作為殼體、底座和引線使用。
金屬材料是作為芯片和基板的支撐和保護的,而芯片和基板材料都比較固定,如芯片材料一般是Si,GaAs;陶瓷材料一般是Al2O3,BeO,AlN。它們的熱膨脹系數(CTE)在30-6K-1~70-6K-1。這就要求金屬材料要具有以下特征:(1)與芯片和基板相匹配的熱膨脹系數。(2)好的熱導率。(3)加工性能要好,易于成批量生產。
2.1.1 傳統封裝金屬
常用芯片、基板及金屬封裝材料的性能如表1。
銅的熱導率高達400 W(m-3K-1),是散熱非常理想的封裝殼體,但是它的熱膨脹系數也高達17.30-6K-1,產生的熱應力很大,此外,銅的退火后機械性能差,容易永久變形,所以阻礙了其使用。
表1 常用芯片、基板及金屬封裝材料的性能
鋁的熱膨脹系數非常高,也和銅面臨同樣的問題,與芯片和基板存在嚴重得熱失配,阻礙了其廣泛的使用。
鋼的熱膨脹系數也高,熱失配也嚴重。不銹鋼熱導率為32.9 W(m-3K-1),比較低。它們應用范圍小,主要在要求不高的,耐腐蝕的環境下使用。
可伐的熱膨脹系數與芯片,基板的熱膨脹系數匹配非常好,適合在傳熱要求比較低情況下使用。其低的熱導率阻礙了其廣泛的使用。
W和Mo與芯片,基板的熱膨脹系數非常接近,熱匹配都非常好,熱導率也非常高,導熱性能好。但是W的加工性能差,工藝復雜,可靠性差;Mo的重結晶后非常脆。此外,W,Mo的價格昂貴,這些阻礙了其發展。
2.1.2 新型的金屬基復合材料
傳統的金屬封裝材料都存在不同程度的缺陷,難以滿足現代封裝的要求。為了適應封裝的需求,發展了新型的金屬基復合材料。
金屬基復合材料有很多種,作為封裝的主要有銅基復合材料④和鋁基復合材料。
銅基復合材料可克服銅退火后的機械性能變差的缺點。
為了滿足封裝需要,在銅里面摻入其它雜質構成銅基復合材料,提高銅的退火后的機械特性,或者讓復合材料的熱膨脹系數與芯片和基板的熱膨脹系數匹配,或者提高熱導率,以滿足高散熱要求等。如在銅里面摻入0.3%的Al2O3后得到Glidcop,Glidcop與50%的可伐構成的復合材料的屈服強度為760MPa,在一定程度上滿足了需要。再如,在銅中摻入合金Invar(Fe-36Ni),熱膨脹系數就改變了,為0.40-6K-1,但是熱導率損失嚴重,僅為11 W(m-3K-1)。同時,這種材料在燒結的過程中,銅和Invar相互擴散,這就對復合材料的導熱、導電和熱膨脹系數都有一定的影響。
鋁與SiC按一定比例制成的鋁基復合材料是應用最廣泛的鋁基復合材料,因為其在工藝、成本、毒性和密度方面綜合起來看,都是比較滿意的。
高硅鋁合金材料的應用比較廣泛,因為其膨脹系數低,密度低,在航空領域應用尤其突出。
金屬封裝的優點是氣密性好,不受外界環境因素的影響。它的缺點是價格昂貴,外型靈活性小,不能滿足半導體器件日益快速發展的需要。現在,金屬封裝所占的市場份額已越來越小。少量產品用于特殊性能要求的軍事或航空航天技術中。
集成電路集成度的不斷提高,散熱要求的不斷升級,給金屬封裝材料提出來更高的要求。要求金屬封裝材料繼續向金屬基復合材料發展,要求金屬基復合材料要與芯片、基板的熱膨脹系數更加匹配,熱導率更高,加工更容易,價格更便宜。
2.2 陶瓷封裝
陶瓷封裝,像金屬封裝一樣,是氣密性封裝,是繼金屬封裝后發展起來的另一種封裝形式。陶瓷封裝材料密度一般比金屬封裝材料的密度要低,價格也相對便宜。
陶瓷封裝經過不斷的改進,性能越來越好,尤其是陶瓷流延技術的改進,使得陶瓷封裝在功能方面的靈活性有了較大的發展。
多層陶瓷封裝外殼的發展重點是可靠性好、柔性大、開發成本低。
陶瓷封裝優點有氣密性好,熱膨脹系數小、機械強度高、耐濕性好和熱導率高,可實現多信號、地和電源層結構,并能對復雜的器件進行一體化封裝。
陶瓷封裝缺點是燒結精度差、價格貴,主要應用在一些特殊的場合。
多層陶瓷封裝外殼的發展重點是可靠性好、柔性大、開發成本低。
陶瓷封裝材料主要有Al2O3、BeO和AlN等。它們的主要性能如表1。
Al2O3陶瓷是目前應用最廣泛的陶瓷封裝材料,占據陶瓷基片材料的90%。其價格低廉、耐熱沖擊性和電絕緣性較好、化學穩定性好、制作和加工技術成熟。
BeO陶瓷雖然具有較高的熱導率,但是其毒性和高生產成本是致命的,是阻礙其生產和應用的主要原因。
AlN陶瓷具有良好的熱導率,熱膨脹系數與芯片材料更匹配,材質堅硬,能制成很薄的材料,滿足不同的應用。但是AlN陶瓷的成本高,制備工藝復雜,故至今未能進行大規模的應用。
2.3 塑料封裝
相對而言,塑料封裝發展迅猛,已占據了90%(封裝數量)以上的封裝市場份額⑤,且還在不斷上升。在80年代以來,隨著塑料封裝技術和芯片鈍化層技術的進步,芯片鈍化層質量有了根本的提高,使其因潮氣侵入而引起電子器件失效的能力已大大減低了,因此,塑料封裝的地位越來越高。
塑料封裝主要是熱固性塑料,包括有機硅類聚酯類、酚醛類和環氧類,其中以環氧樹脂應用最為廣泛。
塑料封裝具有絕緣性能好、價格低、質量輕等優點,性價比最誘人。
塑料封裝的缺點氣密性差,對濕度敏感,容易膨脹爆裂。
3 封裝形式的發展
3.1 SIP
SIP是單列直插式封裝,一般是通孔式的,從封裝體的一邊引出管腳,引腳只有一排,管腳插入印刷電路板的金屬孔內,封裝的形式多樣。SIP的引腳數從2到23不等。
SIP具有設計周期短、開發成本低、靈活性高等特點,更適用在低成本、小面積、高速高頻的電子產品中。
SIP的吸引人之處在于它們占據最少的電路板空間,且在高頻器件中占有獨特的優勢,在高頻器件中得到廣泛的應用,但是,封閉式的電路板限制了SIP的高度和應用。
3.2 DIP
雙列直插式封裝DIP封裝的管腳從封裝體的兩端直線式引出,是插裝 型封裝之一。DIP封裝材料有陶瓷和塑料兩種,其外形通常是長方形的,管腳從長的一邊伸出。絕大部分的DIP是通孔式,少部分是表面貼裝式,主要應用在存貯器LSI,標準邏輯IC,微機電路等。對DIP來說,其管腳數通常在6至64(6,8、14、16、18、20、22、24、28、40、48、52和64)之間,封裝寬度通常是15.2mm,其中,24至40管腳數的器件最常用于邏輯器件和處理器,而14至20管腳的多用于記憶器件。當器件的管腳數超過48時,芯片面積/封裝面積一般都在1:1.9,說明,封裝效率很低,DIP結構變得不實用并且浪費電路板空間。
3.3 PLCC
PLCC是指帶有引線的塑料芯片載體,引腳從四個側面引出,是表面貼裝型封裝之一,對高引腳數器件來說,是較好的選擇。其它一些縮寫字可以區分是否有引腳或焊盤的互連,或是塑料封裝還是陶瓷封裝體。諸如LLC(lead chip carrier)有引腳,LLCC(leadless chip carrier)無引腳。PLCC的管腳間距是0.050英寸,與DIP管腳間距2.54mm相比,其優勢是顯而易見的。PLCC的引腳形狀為J型,不容易變形,但外觀檢測困難,引腳數通常在18至84之間(18、20、28、32、44、52、68和84)。
3.4 QFP
四方扁平封裝(QFP)其實是微細間距、薄體LCC,引腳從四個側面引出。引腳呈歐翅型,管腳間距比PLCC的0.050英寸還要細。QFP可以是塑料封裝,可以是金屬封裝,可以是陶瓷封裝。塑料QFP通常稱為PQFP,PQFP有二種工業標準,PQFP角上有凸緣的封裝,以便在運輸和處理過程中保護引腳,其引腳間距是相同的,都為0.025英寸;另一種就是PQFP沒有凸緣,其引腳間距有1.0mm,0.8mm和0.65mm三種。同一模塊尺寸可以有不同的引腳數目,這意味著同一模具、同一切筋打彎工具可用于一系列引腳數的封裝。引腳經常被彎曲,常見于28mm以上的器件。PQFP最常見的引腳數是84、100、132、164和196。為了提高其有效互連面積,在正方形結構中,并非所有模塊下的通孔均可以插入,必須有一些芯片的連接要轉換到模塊外形的外面。長方形結構可以使短邊引腳數少于64個、引腳間距不大于0.025英寸(1mm)的引腳都插入模塊底下的通孔中。
3.5 BGA
球柵陣列封裝BGA是20世紀90年代開始應用,現主要應用于高端器件的封裝,發展空間還相當大。
BGA封裝技術是在模塊底部或上表面焊有按陣列形式分布的許多球狀凸點,通過焊料凸點實現封裝體與基板之間互連的一種封裝技術。
BGA具有很多優點:成品率高、寄生參數減小、可靠性高、傳輸延遲小、散熱性能好、芯片面積/封裝面積為1:1.14,更接近1,封裝效率高。BGA缺點就是功耗大。
廣義的BGA封裝還包括矩柵陣列(LGA)和柱柵陣列(CGA)。BGA目前主要應用于高性能、高密度領域,如PC芯片組、ASIC、DSP、PLD等。BGA的節距有1.5mm、1.27mm、1.0mm、0.65mm、0.5mm。其發展趨勢是細節距、高I/O數。
3.6 CSP
芯片級封裝CSP⑥是芯片尺寸與封裝尺寸相當的封裝形式,其芯片面積/封裝面積超過1:1.15。與BGA相比,同等面積下,CSP封裝存儲容量是BAG的3倍。
CSP有引線框架CSP、硬質基片CSP、柔性基片CSP、圓片級CSP和疊層CSP五種。
CSP的特點是:電氣性能好、可靠性高、熱效應良好、體積相當較小。
CSP主要應用于高性能的存儲器中,并逐步向ASIC、DSP、網絡等領域進軍。
圓片級封裝WLP(Wafer Level Package)將是CSP發展的主流。
4 封裝面臨的問題
封裝在全國和全世界發展來看,發展不平衡,標準也不同,工藝也有差異,導致現狀封裝面臨了一系列的問題。為了加速封裝產業的發展,推動微電子產業的加速,對封裝的問題必須進行討論,并統一標準。封裝主要要統一如下問題:統一的名詞術語標準⑦、機械尺寸標準、測試方法標準、考核鑒定標準等。
4.1 名詞術語的統一
名詞術語太多,每個企業都有自己的標準,其他企業與其交流的時候,理解就會遇到不一致的情況,不便于交流和發展。如SOP,有的認為是Small Outline Package(小外形封裝),有的人認為是System on Package(系統封裝)。BGA就有“焊球陣列”、“球柵陣列”、“ 焊球格狀陣列”、“焊球網格陣列”等。WLP的名稱有“圓片級封裝”、“晶片級封裝”、“晶圓級封裝”等。所以封裝名詞術語急待統一。
4.2 外形尺寸標準的統一
截止到2000年,JEDEC已注冊的BGA共分為7類,其中CBGA的尺寸就有102種,PBGA為150種,還有TBGA若干種。
現在封裝加工的自動化程度高、速度快,如引線鍵合速度已達到每秒14線,封裝關鍵尺寸的不統一、工藝就容易出問題,一旦失控都將導致大量的廢品,或生產效率下降。所以封裝工藝,封裝尺寸必須統一,封裝產業才能可靠,高速的運轉。
4.3 封裝測試方法標準的統一
在BGA封裝測試中,翹曲、共面性、球直徑等測試方法都是百花齊放。在JEDEC和SEMI封裝測試中,也有一系列封裝測試方法,如機械尺寸測試、引線電阻、電容、電感、熱阻的測試等。
4.4 封裝性能考核鑒定標準的統一
對CSP性能的考核,尚沒有統一的標準。如溫度循環,有的是65℃~+150℃,600次循環;有的65℃~+125℃,300次循環。有的在150℃高溫貯存,有的在125℃做高溫貯存。
所以,封裝的考核標準問題也要統一,以便加速封裝產業的發展。
5 結論
伴隨著集成電路的封裝,封裝技術的發展正在日新月異的變化,封裝種類繁多,為了加速封裝產業的發展,開發新型的封裝材料,封裝形式日益重要,同時,統一封裝標準更是當務之急。
(基金項目:貴州大學2010年實驗室建設項目基金(黔科計 [2010]4006);貴州大學研究生創新基金(校研理工2011003))
注釋:
① 方明,王愛琴,謝敬佩,等.電子封裝材料的研究現狀及發展[J].材料處理技術,2011,40(3):84-85.
② 楊會娟,王志法.電子封裝材料的研究現狀及發展[J].材料導報,2004,18(6):87-90.
③ 聶存珠,趙乃勤.金屬基電子封裝復合材料的研究進展[J].金屬熱處理,2003,28(6):1-5.
④ 蔡輝,王亞平,宋曉平,等.銅基封裝材料的研究進展[J].材料導報,2009,23(8):24-27.
⑤ 張蜀平,鄭宏.電子封裝技術的新進展[J].電子與封裝,2004,4(1).
關鍵詞:電子電鍍;分子設計;合成
中圖分類號:TQ153.13文獻標識碼:A 文章編號:1672-3791(2015)05(c)-0000-00
隨著科學技術的不斷發展,電子電鍍技術也更為成熟和先進。在電子電鍍過程中最為普遍和重要的類型就是錫金屬及錫合金的電鍍,其應用廣泛的存在于工業產品的加工制作中。在無添加劑的情況下,鍍錫所獲得的成果并不完美,加工品基本是粗糙和松散的,這是因為鍍錫的過程中存在較快的化學反應速度、較大的電流、較低的電壓,因此想要成功的鍍錫離不開添加劑的使用。
1添加劑的設計方法
將添加劑的分子結構按照其各部分的特征、功能進行合理的分組設計,再規劃每個比分的具體形態和構成。這種有針對性和適用性的方法是值得考慮并采用的。不同的種類、形態、范疇使得添加劑分類的方法也千差萬別,現階段還沒有任何規范、完善的方法來對添加劑的組成進行劃分、歸類。目前主要有光亮劑、加速劑、整平劑等常見的添加劑,鍍錫使用的添加劑應屬于光亮劑、抗氧化劑這一類型[1]。只有全面地了解使用添加劑物質的具體性能才能更完美地設計出添加劑的結構。目前也有一些中間體來進行專業的添加劑生產,并已初具規模形成了完整的產業鏈。但針對鍍錫添加劑的中間體只占很小一部分,大部分都是其他金屬的項目。因此,研究分組功能是非常重要的,在制定可供選擇的添加劑類型之前,先構建一個涵蓋了不同性能的基礎組成的規劃藍圖,制定完成后,對單個類型的添加劑行進考核,最后將對單體研究的內容融入到對多種類型性能的研究中。完成了這些基礎研究后,就可以著手開始構建添加劑分子結構的設計體系[2]。
2 添加劑的制配方法
添加劑可以通過對電沉積的過程及電沉積的質量進行合理的調控來實現對物質形態、大小、構成、性能的控制。而物質的外貌形態往往會影響沉積層的質量,因此使用添加劑對其加以控制是必不可少的。工業生產中對沉積層性質的要求在不斷提高,因此添加劑的功效也應該日益強大,電子電鍍添加劑的分子設計也應更加完善。目前主要采用的是用構成基礎部分的分子結構嘗試拼湊或將分子結構組合起來進行篩選的方法[3]。這樣的方法并不合理,很大程度上使工作更加復雜、冗余,也無法保證添加劑的性能,這樣就大大降低了工作效率。
添加劑組分的合成和組分間的混合是添加劑制配的兩個主要組成部分。添加劑作為一種具有配方性的產品,絕大多數情況下,其制配與多種組分的混合是密不可分的,只有把各組分更好地協調、配合起來,使各組分互相影響、互相作用,才能使制配好的添加劑性能更加優良。
3 添加劑的考核方法
研發添加劑的過程非常復雜、繁瑣,新研發的添加劑在實際應用到工業生產中之前,必須針對其特點和性能進行規范的、全面的、完善的評估與考核。不僅要在實驗室對其理論上的可行性進行考核,更要在工廠器械中對其實際上的適用性和在特殊情況下會出現的各種問題進行觀察和考核。以下內容是考核中應該具備的項目:添加劑的的物理性質、電鍍液體的物理性質、電鍍液體的性能、電鍍層的外觀形態和性能、添加劑抗老化的功能等。結合考核的結果,對其進行進一步的分析、討論,對添加劑設計的具體參數進行相應合理地調整,并建立一個按這種模式運行的考核體系,今后對添加劑的考核都嚴格按照這些步驟來進行。
4 添加劑的分子結構設計
生產出具有優質性能的產品是涉及添加劑的主要目標。現實際工作中,添加劑的種類、性能繁多復雜,不同添加劑對不同電鍍也會產生不同的作用。添加劑具有優質的性能是對其設計的最主要要求。如,要使工業產品具有良好的外觀、堅韌的硬度、較強的可焊性和密度等;同時,也要使電鍍液具有較強的平整能力和覆蓋能力、較快的沉積、較好的電流效率等。普遍情況下,電鍍添加劑都是多種性能分子結構的整合體,各種分子結構間相互聯系、相互影響。其性能是對個分子結構整合的結果,與單個結構的性能是不同的。添加劑的能效受到許多狀況的影響,存在著很大的復雜性,設計時往往采用經驗性的、模糊性的方法,這使得添加劑設計的目標難以達成。
添加劑的效果主要表現在電極表面的分子結構的各種表現及化學反映情況。添加劑的性質是由其分子構成決定的。分子大小、官能團結構、鄰近基團、和碳架結構等是影響分子結構特性的主要因素。一定要從分子水平的角度,全面探索分子結構和產生不同化學反應的聯系,必須從分子水平上系統地研究分子結構與電化學性能之間的關系,研究產生這種化學反應的原理。通過對分子結構的不同作用引起添加劑性能的變化的研究,實現對分子結構影響化學性質的深入理解與認識,更好的優化添加劑的設計。
然而,現階段對電鍍添加劑設計的方法還是過于經驗化,無論是在思想上還是研發過程中都存在著一定的局限性,從分子水平的角度來設計的方法也只是理論上的構想。因此,對添加劑的分子設計進行更全面、更深入的討論與探索是十分重要的,這樣才能為構建更合理、更全面的添加劑設計方法和體系。結合當前情況,在進行添加劑的分子設計時,應該盡可能地運用分子結構發生各種化學反應的理論知識和信息,進一步對分子構成與添加劑性能之間存在的關系和規律進行探索,結合分子結構的研究成果,設計規劃出添加劑的分子結構。
5 結束語
電子電鍍添加劑的研發、設計、使用、作用過程十分復雜,影響這些部分的因素很多,對這些因素所造成的影響目前還并沒有相關的解決方案以及系統的理論解釋。但只要能按照前文中所描述的各階段的方法來工作,就能很大程度上保證添加劑具有良好的性能。同時,不斷完善電子電鍍添加劑設計的理論基礎和操作能力,努力轉變為從分子水平來進行設計工作,設計出的添加劑就會日趨完美,該行業的發展也會更加迅速,進而促進我國工業水平的提高。
參考文獻
[1]賀巖峰,王鶴坤,等.基體表面性質對引線框架上無鉛鍍錫層的影響[J].電鍍與環保,2011(2):1-4
一、一組數字看變化——科學判斷我市工業經濟發展狀況,可以增強我市工業爭先進位,提升在馬蕪銅經濟帶中地位的信心和勇氣。
近年來,我市工業經濟總量快速擴張,效益質量不斷改善,發展后勁顯著增強,工業對全市經濟貢獻率逐年提高。從規模內工業主要經濟指標一組數字看:
資產總額:年底270.3億元,較年增長80%,位居全省第5。年突破313億元。
經濟運行先行指標全市工業用電量:年底18.15億千瓦時,較年增長44.2%。年25.47億千瓦時,增幅21.48%;
工業現價產值:年底145億元,較年增長93%,居全省第7。年214億元,增速49.1%,較上年增長45%左右;其中12月份當月完成20.1億元。自今年五月份開始,月度工業增加值連續八個月穩定在6億元以上,12月份當月完成工業增加值6.2億元。
工業增加值:年實際完成41億元,是年2.6倍,總量居全省第9。年65.3億元,較上年總量增長56%;總量居全省第7,位次前移兩位,同比增速27.14%,高于全省2個百分點,位居第六。
銷售收入:年底164億元,較年增長1.1倍,居全省第5。年273億元,同比增長56%,較上年增長66%左右;
利潤:年盈虧相低后5.63億元,較年減虧增利8.3億元,年份盈虧相低后12.92億元,較上年增長89%左右;
經濟效益綜合指數:年116.6,較年提升65點,年152.69,同比提高36點,創歷史最好水平。
利稅:隨著生產強勁增長和效益質量提高,工業企業利稅快速增長,年規模內企業利稅總額12.3億元,較年增長31.4倍,年利稅總額22億元,是上年同期1.7倍。
技改投資:至年累計完成技改投資56億元。年24.8億元,增幅37%,再創歷史新高。
從這一組數字看,今年工業主要經濟指標創歷史最高紀錄大局已定,標志著我市工業經濟又進入更高層次的發展平臺。今年工業經濟之所以“發展勢頭好,經濟亮點多”,是我市歷史上表現最好的一年,我想是不僅是量的積累到質的飛躍的結果,也是市委、市政府科學決策和全市上下齊心協力的集中體現,不僅為工業跨越式發展奠定了基礎,也增強了我市工業爭先進位,提升在馬蕪銅經濟帶中地位的信心和勇氣。
二、兩相比較看潛力——全面分析我市工業發展潛力,是以創新精神推動工業經濟快速發展的前提。
近年盡管我市工業在總量擴張與效益質量提升上取得了突破性進展,年GDP首次突破100億大關,工業貢獻近一半,但較周邊馬鞍山、蕪湖仍有相當大的差距
銅陵要在新一輪皖江開發開放中“率先發展、率先突破”,不被蕪湖、馬鞍山甩下并縮小差距,必須實現工業跨越式發展。國內外有許多通過縮短工業化進程實現經濟跨越式發展的成功范例,從工業化后來者追趕先行者途徑看,幾乎都利用了后發優勢,即工業化后來者具有特殊益處和優勢。銅陵工業后發優勢又表現在哪些方面。
宏觀上:一是世界范圍內新技術革命,為我們在較高起點上推進工業化提供了可能。尤其是信息時代工業化內容與傳統工業化有所不同,在技術上使發揮后發優勢,實現跨越式發展成為可能。二是經濟全球化與國際經濟結構大調整,使我們在更大范圍內配置利用資源,更多利用發達地區直接投資和以信息化武裝起來的工業技術。三是沿海發達地區尤其是長三角產業和資本梯度轉移,為引進外部資金、項目與人才,加快工業化進程提供了難得的歷史機遇。四是未來五年我們仍處在國家戰略機遇期,經濟繼續保持適度快速增長的格局不會發生變化,特別是經過宏觀調控,經濟發展整體環境將更為有利。
從產品看,我市除了電解銅、漆包線、電子元件等一批在全國同行業處于排頭兵的產品,還有一批技術含量高、市場前景好,極易形成產業化的優勢產品,如陶瓷過濾機、井下無軌設備等。
從資本市場看,銅陵工業企業在資本市場進一步活躍,資本市場影響力日益增大。已上市企業再融資,中科銅都、朝山金磁、藍盾光電子等一批上市儲備企業正在積極培育,有望形成“銅都上市板塊群”。
從經濟增長內在動力看,多種所有制經濟共同發展格局初步形成,工業由國有一極為主轉變為多極增長態勢,民營經濟發展勢頭加快,尤其是勞密型企業發展勢頭迅猛。
從企業結構看,在市場經濟洗禮中,企業數量、規模、效益,盈利水平、創新能力都有明顯改善。一批對全市經濟起較強牽動作用的重點骨干企業成長壯大起來,其中列入省重點骨干企業6戶。同時,以泰成實業、中科銅都、金泰化工、藍天股份等為代表的一批專精特新中小企業發展勢頭迅猛。
從科技創新能力看,企業自主研發能力顯著提高。目前全市省級技術中心7家,一個工程技術中心,兩個博士后工作站,高新技術企業17家,其中國家級3家,高新技術產品21個。年我市66項科技成果獲獎,其中省級科技進步獎7項;正實施的火炬計劃28項,其中國家級15項,省級13項。
從投融資環境看,政府服務經濟職能強化,整頓和規范市場流通秩序、企業減負、安全生產、電力體制改革等進一步改善了企業發展環境。銀企關系進一步改善,銀行對工業信心增強。典當、擔保為中小企業快速發展提供了多樣化融資渠道;開發區建設日益加快,園區經濟發展迅速,口岸功能進一步提升,隨著銅陵“大交通”格局形成,縮短銅陵與發達地區空間距離,為承接產業轉移和加強對外經貿往來提供了更為便利的條件。
總之,銅陵工業擁有這些優勢潛力,能否就與馬蕪一爭高低?馬蕪銅三市從總量看,蕪馬工業實力相當;從結構看,銅與鐵,有色與馬鋼構成馬鞍山與銅陵工業最大特色,兩城素有銅墻鐵臂之稱。這里僅分析我市工業趕超馬鞍山可能與預測。
結合“334”目標,我委提出年預期目標:規模內工業產值突破250億元,確保增長20%以上;規模內工業增加值突破77億元,確保增長20%以上;規模內工業企業銷售收入突破300億元,確保增長20%以上;全社會工業投入35億元左右。按五年翻番目標,到年,規模以上工業企業總產值突破600億元,工業增加值確保150億,力爭180億,年均增速16%以上,銷售收入突破650億元,年均增長18%以上,經濟效益明顯提升,對財稅貢獻率大幅提高。馬鞍山市年工業增加值調控指標170億元,其中馬鋼增加值114億。從指標看,我市落后馬鞍山五年。
銅陵與馬鞍山從總體上看差別主要在有色與馬鋼。有色與馬鋼雖有許多不可比因素,但是從二者對全市經濟帶動角度看,馬鋼可謂一枝獨秀。年有色增加值14億,占全市規模工業34%,馬鋼增加值70億,占馬鞍山規模工業74.8%。如果不考慮這兩個企業,銅陵工業總量相對高于馬鞍山,馬鞍山主要是星馬專用汽車、山鷹紙業兩家上市公司,其他規模相對不大。我市地方有六國、精達、銅峰、三佳上市企業和一批上市企業源,一批專精特優企業發展勢頭迅猛,一批優勢產品產業化前景廣闊,使我市地方工業產業、產品、企業結構等較馬鞍山有一定優勢。
馬鋼作為我省最大工業企業,年銷售收入167億元,位居全省第1,稅后利潤27.9億元,名列國內冶金行業第2。有色年銷售收入居全省第2,今年來發展勢頭快,銷售收入突破100億,全年預計130億,但較馬鋼仍有差距。有色發展潛力有哪些,縮小與馬鋼距離,甚至趕超馬鋼有否可能,我想從發展后勁角度談一點個人想法:
一是有色有一批項目群,其中冬瓜山、金隆銅業年產21萬噸改擴建、高精度銅板帶等15個重點項目列入省861計劃,這些項目建成后將進一步增強企業發展后勁,對全市經濟帶動性顯著增強。現有項目產業化前景廣闊,極易引進戰略合作伙伴。
二是有色銅深加工、精細化工產業鏈長,現有項目的后續項目產業化前景大。如大銅帶項目就是向引線框架前端引伸,銅帶項目投產后,既能延伸產品鏈,又能形成新的產品鏈,如:電子銅帶—引線框架,變壓器銅帶—干式變壓器,超薄水箱銅帶—高檔轎車水箱。隨著深加工產業鏈延伸,附加值隨之攀升。
三是有色有一批擬上市企業源,如金泰化工、中科銅都粉體新材料、金湘重型機械、特種環保、春然膠囊等企業,有的已過輔導期,這些企業產業化前景極大。
四是有色通過產學研聯合、高校合作等形式,開發出一批有一定技術含量、附加值高的產品。如采掘無軌化裝備項目被列入國家國債和省高技術產業化專項資金補助計劃籠子,TT系列特種陶瓷過濾機列入年度國家火炬計劃項目,金泰化工被認定為“國家高新技術企業”。這些產品一旦形成產業化,對我市經濟總量和效益質量都將產生重大影響。
五是有色循環經濟走在全市乃至全省前列,申報全國循環經濟試點企業初見眉目。
當然,縮小有色馬鋼距離不可能一蹴而就,但是有這些項目帶動,加上地方工業強力支撐,我想銅陵工業總體趕超馬鋼還是有一定基礎的。
三、三思之后看舉措——怎樣落實科學發展觀,發掘潛力,因勢利導,針對性地提出措施,是實現工業大發展根本。
我市工業發展變化充分體現出市委市政府發展工業的思路和理念,那就是“堅持銅陵特色、發展銅陵特色、壯大銅陵特色”,這是經驗總結,也是今后工作方針。如何貫徹這一方針,前段時間在向領導匯報工業結構調整時,我提出加快工業發展要堅持可持續發展、非均衡發展、產業集聚、品牌和錯位發展、裂變發展五條原則,根據這五條原則,我想應著力抓好以下幾方面工作。
1、著力調整企業組織結構
企業組織結構調整是工業結構戰略性調整核心和關鍵,是產品、技術、勞動力等結構調整的載體。企業組織結構調整大體可分三種情況:一是做大做強一批。實施大公司大集團戰略完善母子公司管理體制,發揮大企業結構調整主力軍龍頭作用,突出主業,實施主輔分離。大企業主業應在全市乃至全國范圍內通過兼并、收購、聯合、參股等形式“走出去,引進來”,做大做強。鼓勵大企業通過裂變同主產品關聯度不大的子公司,分離出去,實施民營化加快發展;二是搞專搞精一批。加大中小企業所有制結構調整力度,大力發展民營經濟,扶持中小企業特別是科技型中小企業,使它們向“專、精、特、新”發展,形成專業化生產、社會化協作的中小企業集群。三是建立一個退出市場機制和通道,解決三類企業問題:第一是依法關閉產品質量低、浪費資源、污染嚴重、不具備安全生產條件小廠礦,如小水泥。第二是積極穩妥關閉資源枯竭礦山,這是長期積累而沒有得到解決的歷史遺留問題。第三是長期虧損、資不抵債、扭虧無望企業要實施破產。
2、加快循環經濟建設
關鍵要把循環經濟理念貫徹到工作實際中,推進“三個轉型”。即招商轉型,通過綠色招商,建立生態園區;開發轉型,通過工業布局調整促進產業優化;生產轉型,通過資源綜合利用,實現企業增長模式轉型。當前重點是在積極做好申報國家循環經濟試點城市,最大限度地獲取國家政策支持的同時,加快高新技術和先進適用技術提高循環經濟發展技術水平,嚴格淘汰落后生產工藝、設備和產品,在重點行業和企業組織實施以節能、清潔生產、資源綜合利用為重點的示范工程。同時加強資源控制。一是加強老礦區、周邊地區及長江中下游地區探礦工作;二是科學探礦,采用新技術、新方法探礦,如提高勘探深度等;三是加強國內外礦山資源開采合作,主動出擊,尋求買斷國內外(特別是中西部地區)部分礦山探礦權和采礦權等。
3、千方百計加大投入
只有大投入才有大發展,千方百計加大投入對調整我市工業結構至關重要。一要抓住國家政策機遇,爭取國家財政投入;二要加大招商引資力度,廣泛吸引國內外資金流向我市;三要依靠企業自身積累,快速滾動發展;四要盡早設立城市商業銀行,加大民間資本投入。
4、統籌規劃園區建設
按“相對集中,發揮特色”原則,以工業園區為載體,培育主導產業,形成產業集聚。一是抓住省委省政府提出馬蕪銅產業帶優先發展機遇,根據城市整體規劃,科學規劃高起點與馬蕪銅產業帶相協調的特色經濟園區,為我市主導產業發展提供平臺,積極引導新辦企業、重大項目進園區,推進園區經濟集聚發展。二是統一園區管理,合并市級財政投資公司。我市經濟總量偏小,資金、土地等資源有限,要統一優惠政策和政府調控手段,根據工業經濟結構調整規劃,按照非均衡發展原則,保主保重,力求發揮資源最大效益,加快主導產業發展;三是依靠我市上市公司和全國排頭兵企業優勢,注重特色品牌效應,加大招商引資力度,創辦特色工業園區。利用園區特色優勢,申辦國家級工業園區,重點做好循環經濟工業園和銅陵國家電子材料產業園建設。
5、努力培育新興產業
我市主導產業明晰,重在做大做強,但精細化工、環保產業、工業裝備制造業、新材料、生物醫藥等新興產業雖已初見端倪,卻因缺少大的投入和科學的規劃,發展速度不快,急需引進戰略合作伙伴,加速發展。引進一家大企業,就有可能形成一個大產業。我市應加強組織領導,做好新興產業的整體規劃和專項規劃,在充分發揮規劃引導和政府扶持作用的同時,確定重點項目,鎖定目標企業,實行領導掛帥,明確責任部門,深化改革我市目前的招商引資目標管理責任制,積極主動地截接長三角產業和資本梯度轉移,把引進戰略合作伙伴培育新型產業作為招商引資工作重中之重,尋求國內外知名企業集團來我市發展新型產業。
6、傾心打造上市公司
努力培養和儲備一批擬上市企業,重點培育主導產業中和新興產業中具有發展潛力的優質企業,從資金、土地、稅收等方面重點支持,努力營造適合企業發展的寬松環境,利用資本市場中小企業板塊,尋求機遇,上市融資,加快發展。力爭步入“挖掘一批,改制一批,輔導一批,上市一批,壯大一批”的良性發展軌道,為我市經濟快速發展增添活力。
在歐債危機肆虐、美國經濟緩慢復蘇的大背景下,盡管中國需求褪色,但依然是全球銅市需求的主力。 由于國內銅消費增長全面回落,2012年各主要銅行業普遍出現不同幅度的增速減緩或者是下降,導致國內銅需求量增速進一步減縮。預計2013年精通消費增速將繼續放緩,增速約保持在4.8%,達到768萬噸,而這一數據在2012年大約是733萬噸的水平。
一、2013年銅價變化趨勢預測
銅價的走勢對國民經濟也有著不可忽視的作用。當前全球經濟依然疲軟,歐洲仍是最大拖累,全球銅消費增速低位徘徊,復蘇關鍵依然看中國,全球銅原料供應改善趨勢也進一步明朗,全球經濟疲軟仍將對銅消費需求形成拖累;中國經濟的底部企穩或將繼續為全球銅消費形成一定的支撐,但力度有限。全球銅精礦供應改善趨勢進一步明確,2013年的產能釋放將進一步對供給改善形成支持作用,歐美經濟疲軟帶來的廢銅供應偏緊或將對銅原料的總供應形成一定的拖累。預計全球銅供需格局將進一步趨于寬松,銅價仍將面臨較大的下行風險。國內銅庫存處于高位,下游需求疲軟,國內銅價表現較弱。銅礦的供應周期要7-8年,2004年和2005年銅價上漲之后刺激銅礦的投資,如果按照8年計算,2012年銅礦的供應應該提升,但受到2008年金融危機的沖擊,所以真正的供應放量會推遲到2014年和2015年。
2004年以來銅價大幅上漲的主要原因是中國銅消費的快速提升,但銅作為國際性大宗商品,歐美等發達經濟體的經濟和金融資產波動也成為影響銅價的重要因素。從相關系數來看,銅價月均價與中國的新增信貸增速相關性比較高,與歐美采購經理指數(PMI)走勢的相關度也比較高。美國財政懸崖解決過程的反復無疑將拖累美國經濟和美國股票市場表現,從而抑制銅價表現。目前銅價仍遠高于成本價,存在較大的下行風險,特別是在其他基本金屬基本上都在成本價掙扎的大背景下。
2013年,銅的商品屬性和金融屬性將繼續輪流作為主導因素來影響銅價。可預見的是,全球銅供需關系依然處于供應短缺的狀態,但是經歷過2011-2015年的集中產能釋放,這種供應缺口將越來越小,國內亦然,那么以供需基本面所主導的價格空間也將繼續收窄,在宏觀環境未能復蘇到理想狀態的期間,銅價很難走出大的上漲趨勢。同時,庫存因素并不需要過于擔心,國內下游企業補庫存階段即將來臨,將支持銅價在2013年初期的漲勢,但二到三季度期間的生產情況還需要觀察,預計2013年銅價依然處于一個箱體震蕩的階段,但全年振幅和箱體區間或較2012年加大,運行底部很難抬升,下方的強支撐區域在52000元,上方的目標位在65000元一線。
二、銅價大幅上漲對我國相關產業的影響
銅價持續上漲對我國銅產業鏈的各方面產生了較大影響,但對不同環節產生的影響也不同。
1、采礦企業獲得豐厚利潤
由于我國銅精礦資源十分有限,隨著我國經濟發展對銅需求的不斷增長,銅礦產量自給率越來越低,供不應求的態勢拉動了銅礦價格不斷升高,資源型企業的利潤因銅礦價格上漲而大幅增加。
2、冶煉環節利潤上升但引發了盲目擴張
冶煉環節利潤主要取決于所收取的銅精礦加工費。過去數年,銅精礦加工費長時間停留在比較低的水平,致使銅冶煉企業經營困難,甚至處于虧損狀態。但是,從2004年開始,由于銅價上漲,對銅冶煉環節的需求增大,因此銅精礦加工費大幅上升,冶煉環節也獲得豐厚的利潤。
但是,銅價和精礦加工費持續上升引發了銅冶煉行業的盲目擴張。國際供應商利用我國銅冶煉能力與銅精礦資源之間的巨大缺口,挑起我國企業間的惡性競爭,大肆壓低銅精礦加工費。國內大型企業開始喪失在產業鏈上游的話語權,淪為國際銅礦和冶煉商在境內的加工基地。
3、銅價上漲導致銅加工企業經營條件日趨惡化
隨著銅價不斷攀升,企業維持正常庫存量所需要的資金量也在同步增加,銅加工企業面臨巨大的資金成本壓力。同時,銅材加工費卻在下降,更縮小了企業利潤空間。在這雙重因素的影響下,加工企業的生存甚至受到巨大的威脅。同時,銅價居高不下對銅需求量產生了一定抑制作用,下游行業開始采用替代材料,導致許多銅加工企業訂單明顯減少,一些中小規模的企業訂單量甚至比上年同期下降了30%左右。
此外,銅價上漲還誘發了劣質銅產品的制造。有些銅加工企業已經開始用含銅量低的黃銅、廢雜銅替代未鍛造的銅,少數加工企業甚至選用成本較低的“黑桿”(銅含量較低的次品)替代光亮桿進行生產,導致加工產品質量嚴重下降。
4、銅價上漲導致銅消費企業面臨巨大的經營壓力
銅消費型企業包括家電、建材、電子、機械、輕工等行業的企業。對那些銅材占產品生產成本較高的企業來講,銅價大幅上升給企業的運營帶來巨大的壓力。一方面是銅價上漲大幅提高產品生產成本,另一方面是下游終端產品由于市場競爭激烈,難以通過提價來轉移銅價上漲所帶來的成本壓力。在競爭和生產成本上漲的壓力下,從而導致資金實力不足的企業紛紛減產,甚至被迫停產,退出市場。
不過,銅價上漲也促進了替代品開發。如一些生產視頻線纜的企業積極使用“銅包鋁”、“銅包鋼”進行生產;空調企業也在積極研究“鋁管”代替“銅管”的生產技術。
5、銅加工企業比消費型企業、大企業比小企業能夠更好地利用期貨市場實現套期保值
面對銅價的激烈波動,企業可以借助期貨市場,采用合理的套期保值策略來規避風險,從而有利于企業的穩定經營。但據調查,在期貨公司進行套期保值的企業以大型銅加工企業、銅生產企業和貿易商為主,而下游消費型企業很少有在期貨市場上進行套期保值。其原因主要有兩點:一是資金實力有限,二是缺乏人才。
因無法在期貨市場上實行套期保值,面對高企的銅價,國內銅加工和消費企業多采用降低庫存和“隨用隨買”的方式采購銅以及銅產品。企業在收到下游企業的訂單后,再確定自己的采購數量。即使如此,由于銅價變動很快,企業根據當日銅價格簽訂合同,再去采購銅的時候,銅價的上漲已經超過了企業的預期利潤。
三、銅價上漲對企業的影響
對以銅為主要原材料的生產企業來說,銅價的上漲總會對企業的成本和銷售兩方面構成影響,最終體現為企業利潤的變化。從成本和銷售兩方面對企業的影響以及程度來看,可以歸納出如下特點:
1、成本上漲對企業影響較大。調查發現,原材料成本在企業總經營成本中占比較高,39.31%的客戶都認為占比60%以上,而40%企業認為勞動力成本占總成本的比例在20%~40%。這同時印證了更多企業把原材料和勞動力成本上漲列為影響經營最嚴重因素的調查結果。
2、市場銷售情況不容樂觀。由于外部需求疲軟,內部需求不振,加上經營成本處于相對高位,雖然七成企業產品價格有所上升,其中40%企業的升幅在10%以上,但完全轉嫁給下游客戶的企業相對較少,而且從貨款回籠情況來看,33%的企業貨款回籠被延長,訂單和銷售收入調查情況反映近三成企業比上年同期下降。
四、銅價格波動對銀行信貸資金安全的影響
2012年以來,商業銀行不良貸款如期上升。根據銀監會公布的三季度《商業銀行主要監管指標情況表》顯示,截至三季度末,商業銀行不良貸款余額為4788億元,已經連續四個季度反彈;不良貸款率升至0.95%,比前兩個季度高出0.01個百分點,銀行的資產質量持續承壓。在嚴峻形勢的面前,沒有一家銀行高枕無憂。繼房地產和地方政府融資平臺之后,越來越多的行業被列入信貸業務“謹慎進入”的監控名單。鋼鐵、造船、光伏已被定義為“高信用風險”行業,未來制造業、批發零售業也面臨嚴峻挑戰。
目前,按存量余額排序,不良貸款分布較多的行業依次為:制造業,交通運輸、倉儲和郵政業,批發和零售業,房地產業,電力、燃氣及水的生產和供應業。按照不良率排序,不良率較高的行業依次為:信息傳輸、計算機服務和軟件業,批發和零售業,制造業,房地產業,電力、燃氣及水的生產和供應業,交通運輸、倉儲和郵政業。不良貸款的分布情況恰好應證了前期經濟形勢。其中就包括受國內經濟下行、外部需求不足、大宗商品價格波動、刺激政策逐步退出等復雜的綜合性因素影響,批發和零售業、制造業增速放緩,企業經營受挫,盈利能力普遍下滑,不良率有所上升。
五、銀行應對銅價波動的對策
風險管理是商業銀行的生存之道,面對復雜的經濟環境,2013年,由于貨幣政策正逐步由適度寬松回歸穩健,銀行需加強流動性風險的防控,建議:
1、密切關注經濟走勢,高度重視下行風險
銀行必須密切關注宏觀經濟形勢變化,高度重視經濟下行風險可能給銀行發展帶來的沖擊。一是加強宏觀經濟形勢研究,準確把握經濟環境、宏觀調控政策、產業調整動態、利率匯率變化趨勢、商品價格波動各因素對銀行客戶和信貸業務的影響,及時向基層單位進行風險提示或業務指引。二是對受原材料、勞工成本影響大且在銀行不良率較高的通信設備、計算機及其他電子設備制造業等行業客戶,提高信貸準入門檻,審慎進入,對不良率較高的行業,應該重點發展其龍頭企業或實力較強的企業,并加大退出不良企業力度。三是對目前雖然能維持經營,但缺乏自主品牌和定價能力,主營收入和利潤下降明顯的外向型客戶原則上不辦理風險較大的流動資金貸款業務和信用敞口貿易融資業務。
2、主動進行結構調整,提前化解貸款潛在風險
主動進行信貸結構調整,調整行業信貸政策和業務發展策略,在促進業務快速發展的同時,防范和控制風險。首先是選擇重點客戶,把有限的信貸資金用于對銀行綜合貢獻高的重點優質客戶和重點項目,對那些上游無自有原材料市場、自身無自主研發能力、無自有下游銷售市場的“三無”企業,出口量大幅下降的出口主導型企業要綜合考慮其風險狀況謹慎介入;對整體實力較弱、技術含量低,受宏觀因素影響大,沒有能力進行產品升級和經營調整,僅依靠低成本擴張的傳統加工型小企業要加快清收,降低損失。其次是業務品種選擇,大力發展經濟資本占用少、業務風險較低、融資期限短、資金周轉快的本外幣貿易融資業務。同時爭取客戶辦理掉期或結售匯業務,在緩解外匯資金壓力的同時,規避匯率風險,拓展貿易融資業務增收渠道。
3、有針對性地調整策略,有保有壓、避免“一刀切”操作
推進綠色照明,可采用效率高、壽命長、安全、性能穩定的照明電器產品。 采用高效節能的新型電光源是制造綠色照明產品的核心部分。照明電光源一般分為白熾燈、氣體放電燈和其他電光源三大類,在綠色照明工程中,可根據具體情況,選擇各種光源。
包衣熒光粉的制備方法
項目簡介:致發光(EL)材料是將電能直接轉換為光能的一種無機粉末發光材料,其發光顏色主要有藍、綠、橙,以及上述顏色的過渡色。
意義:可廣泛應用于EL玻璃屏、EL搪瓷屏、EL塑料屏、EL絲線等交、直流電致發光器件。
稀土長余輝熒光粉紅粉材料
項目簡介:該材料是在硫氣氛中經高溫灼燒而成的無機晶體粉末,呈微粉狀;該材料和其他稀土長余輝熒光粉一樣沒有任何毒害和放射性,目前所研制的長余輝紅粉材料發光強度較弱,余輝時間也較短,達不到實際應用的目的,所以該項目提出的稀土激活的堿土金屬硫化物長余輝紅粉材料克服了以上的不足,其性能得到提高。通過采取一定的合成工藝,添加激活劑和共激活劑,以改善其發光性能,使其達到實際應用的目的,是繼綠色長余輝熒光粉后,研發成功的又一新型稀土激活的堿土金屬長余輝紅色熒光粉,實現了長余輝熒光的三基色。
PDP熒光粉及稀土離子量子剪裁現象研究
項目簡介:該項目系統研究了不同稀土摻雜的正磷酸鹽熒光材料,提出摻雜離子半徑的減小和基質陽離子半徑的減小均可使摻雜離子與基質陰離子空間距離減小,造成基質晶場對摻雜離子的作用增強,促使基質對摻雜離子的敏化作用增強。研究了不同稀土摻雜的正磷酸鹽熒光材料中的能量傳遞過程,證實了在磷酸鑭基質中存在Ce^(3+)Eu^(2+)的能量傳遞以及Tm^(3+)Gd^(3+)的能量傳遞,建立了能量傳遞模型。采用固相方法合成了BaZr(BO_3)_2:Eu^(3+)紅色熒光材料,分析了結構與光譜的對應關系。采用固相合成方法和燃燒法分別獲得了稀土摻雜的SrAl_2O_4材料,分析了結構和光譜特性,獲得了高效發光的SrAl_2O_4:Tb^(3+)熒光材料。
彩色等離子體平板顯示(PDP)用熒光粉漿料研究
項目簡介:該項目研制了優良的PDP熒光粉漿料。熒光粉漿料通過絲網印刷到玻璃基板上,在兩個障壁之間充有Ne-Xe的混合氣體,氣體放電后產生真空紫外線激發熒光粉發出R、G、B三色可見光,經混色后實現彩色顯示。
意義:該項目研制出PDP熒光粉漿料,其配方組成不同于目前國內外的相關報道,發光性能和使用性能均達到國外產品水平;研制出PDP熒光粉漿料包敷方法,創新地解決了熒光粉在漿料中的沉降問題。
彩色等離子體平板顯示(PDP)用熒光粉
項目簡介:PDP熒光粉目前所使用的 (Y,Gd)BO_3:Eu^(3+) 紅粉和BaMgAl10O17:Eu^(2+)藍粉均用稀土離子激活,大量生產PDP熒光粉將有助于推動高純稀土產業的發展,將促進稀土產業的高值化。
意義:PDP熒光粉將能成為繼彩電、燈用稀土三基色熒光粉之后稀土在發光材料應用的又一個新的高技術產業。
便攜式紅外光源
項目簡介:該實用新型公開的一種便攜式紅外光源包括:圓筒式電筒、調制盤、帶通濾光片、驅動調制盤工作的帶減速齒輪箱電機及固定調制盤和電機的圓筒形支架。其特征在于:發光燈泡為鹵素燈,鹵素燈前的電筒窗口罩玻璃為帶通濾光片,在帶通濾光片前面有一調制盤,圓筒形支架將電機與電筒固定成一體,構成一個便攜式紅外光源。
意義:該實用新型的最大優點是為紅外儀器現場調試提供方便。
養殖專用光源研制
項目簡介:該產品采用高透中波紫外玻璃管、雙螺旋燈絲結構、新型電子粉、最佳管內充氣壓,提高了光源的輻射強度及壽命,并且采用電子鎮流器節約能源;養殖專用光源用于畜禽照射,可有效調節機體新陳代謝,增加鈣磷吸收,促進生長,提高了奶牛產奶量、蛋雞產蛋率和豬的日增重;降低畜禽舍內有害氣體及異味,改善畜禽舍環境質量,降低畜禽的死淘率。
意義:對在畜禽養殖中具有廣闊應用前景,該研究居國內領先水平。
藍光激發高亮度照明白光LED燈用YAG熒光粉
項目簡介:該項目自行研制開發藍光激發高亮度照明白光LED燈用YAG熒光粉。其主要應用于普通照明的高亮度白光LED光源及所有藍光激發的白光二極管上。該技術主要利用在YAG基質中,Ce3+吸收藍光后從2F基態能級躍遷到5d能級,然后再從激發態返回到基態能級而發射出黃光,黃光與芯片藍光混色而成為白光。
新型調光冷光源系列
項目簡介:新型調光冷光源系列產品具有以下特點:低熱輻射含量的冷光輸出;線性無級調節的冷光輸出;高穩定度線性數字量化調節的冷光輸出。
該成果實現了控光技術的創新:其中把單片CPU數字化技術用于冷光源調光為國內首創;該調控技術具有優良功能和較高的性能/價格比。通過查新,國內未見具有上述特點的冷光源的報道。整機性能達到國內先進水平。
意義:該產品具有較高的性價比、廣泛的適應性,多家接產企業產銷實踐證明本新產品擁有廣闊的市場前景,已產生較好的經濟效益和社會效益。
新型冷光源甲烷報警礦燈
項目簡介:新型冷光源甲烷報警礦燈是采用超高亮度LED冷光源照明、全新大容量鋰電池供電再加上以熱催化敏感元件為探頭、智能單片機及多功能電路為核心的智能化、數字化的礦用全新甲烷報警照明礦燈。該礦燈采用安全照明系統,設有多重安全保護電路,不會點爆瓦斯,可避免由于礦燈引起的井下瓦斯事故,保障了礦井的安全。具有連續監測空氣中的甲烷氣體濃度,具有照度高、體積小、重量輕、點燈時間長、免維護、使用調校方便、性能穩定可靠等優點。可用于煤礦及各種礦山、石油、化工、鐵路、公路運輸等存在易燃易爆可燃氣體的環境中安全照明、搶險救災照明。
集成功率型LED固體照明光源
項目簡介:該項目采用將多個小功率芯片組合形成大功率光源的技術方案,有效降低了生產成本,并顯示了自己的特色。主要技術特點有:芯片間組合方式靈活多樣,可適應不同用電條件需要;高效熒光粉的配置具有自主的知識產權,可以根據不同發射波長的芯片,配置相應的熒光粉配方,獲得光源的相關色溫可以涵蓋從2700K的低色溫到13000K的高色溫,且顯色指數在80以線路板上,滿足不同照明場合的需要;使用鋁基線路板作為固晶底板,有效解決餓功率光源的散熱問題。
超高壓短弧氙燈光源
項目簡介:該燈內充入12atm的高壓純凈氙氣,在外加高壓觸發脈沖作用下,燈內距離非常近的兩個電極之間便自動起弧點燃;泡殼的尺寸明顯大于極間距離,電弧不受泡殼壁影響,只靠電極就能使電弧穩定,能得到很大的電弧比功率;燈在惡劣調制工作條件下完成與直流工作條件下相比成倍增長的有效紅外光譜輸出,并保證相對長的工作壽命。
意義:該光源采用了先進的石英泡殼抗沖擊設計、封接處的抗沖擊設計、電極抗濺射能力設計、電弧的穩定性設計、定點聚焦設計,耐振動抗沖擊、工作狀態穩定可靠、環境適應性強,各項性能指標均滿足使用要求,與國內其它同類產品比較,光輸出提高近30%。
超高壓汞燈(UHP)投影光源
項目簡介:超高壓汞燈(UHP)投影光源采用創新技術,解決了200個工作大氣壓下的工作物質滲漏和爆炸問題。該產品研制生產中采用了特殊的電極處理方法和鹵鎢循環工藝,解決了極短放電間隙條件下的電極物質損耗問題與泡壁發黑和析晶問題,極大地提高了燈的有效壽命。研制生產的UHP100瓦/120瓦投影光源經國家電光源質量監督檢驗中心(上海)檢測,各項光電參數指標符合企業標準的要求。
意義:該項目研制的UHP100瓦/120瓦投影光源的有效壽命已超過2000小時,產品性能指標處于國內領先水平,達到或接近國外同類產品。
長壽命泵浦脈沖氙燈光源
項目簡介:該項目在抗濺射蒸發粉末陰極技術、高可靠性環形鉬箔封接技術、防止封接區鉬箔氧化開裂的密封技術、放電區玻殼處理技術等方面取得了一系列具有創造性的研究成果,采用這一系列先進技術制造的這種脈沖氙燈具有許多優良的性能,耐振動抗沖擊、壽命長且工作狀態穩定可靠,環境適應性強,解決了國內該技術領域的難題。
意義:該產品已經批量供貨,為用戶創造了可觀的經濟效益;提高了激光泵浦燈的研究水平,促進產品質量升級,不僅應用于工業激光產品上,而且可以替代進口產品應用于高技術軍工產品上。
GZC-1型電光源綜合測試儀
項目簡介:GZC-1型電光源綜合測試儀可廣泛應用于包括白熾燈、高壓汞燈、高壓鈉燈、熒光燈等在內的各種類型電光源產品電性能測試使用。GZC-1型電光源綜合測試儀采用專用測量芯片,實現電壓、電流、功率的精確測量;采用單片機自動控制各類數據的采集與通訊;采用通用電器元件進行強電控制,升級、維修方便;采用集中布線方式,使用產品廣泛;采用預留端子與開關檔位的方式,保證產品更新的擴展空間;采用虛擬儀器專用軟件Labview7.0進行上位機編程,人機對話界面美觀、大方,升級擴展方便。
意義:GZC-1型電光源綜合測試儀可廣泛應用于對包括白熾燈、高壓汞燈、高壓鈉燈、熒光燈等在內的各種類型電光源產品的電性能測試。
側面出光型LED背光源顯示器
項目簡介:側面出光型LED背光源顯示器是華聯公司根據市場需求而開發的產品,主要是液晶顯示器的輔助光源,依光源分布位置不同,分為側光式即側面背光源;直下式即底背光源。背光源模組中最核心技術為導光板的光學技術,目前主要有印刷形和射出成型形二種導光板形式,導光板技術主要考慮導光板材料的光穿透率及導光板的網點分布,一般采用PMMA材料或透明PC料,利用精密模具射出成型的導光板。一般要求背光源的出光均勻性要達到70%以上,若要求更嚴格達80%以上的,則需在導光板作相應的光學補償。
采用LED發光源的出租車頂燈
項目簡介:出租車頂燈作為出租車較為明顯的標志,既可以方便乘客辨識,同時也可以為城市夜景增加一道美麗的風景。而市面上現有的出租車頂燈存在如下問題:其一,照射亮度不強,如果遇上能見度差的陰雨天、或者乘客視力不好的話,就很難得出準確判斷;其二,易損壞,更換維護成本高;其三,耗費出租車的有限電能。為了進一步響應節約型社會的號召,進一步做到資源的合理配置,讓出租車燈可以將城市裝扮得更加靚麗,同時有效的使用清潔能源。作為改變出租車在城市中原有的不良形象:阻塞交通、浪費能源和污染環境等具有較強的公益效應。出租車行業的節能降耗是建設“節約型城市”和“節約型社會”中的又一個突破點。
CSTN/TFT-LCD用白色LED背光源
項目簡介:該項目通過拓展LED在小尺寸背光源上的應用,利用其優越于CCFL的優點及市場需求趨勢。創新點:用LED替代CCFL,解決LED光色一致性及發光強度、色溫、電壓、電流等參數對組裝工藝的影響。通過對導光板的光學結構設計及導光板表面的微槽及微透鏡處理,減少增光膜的使用、降低背光整體的厚度和成本。通過改變模具制造精度和采用一次性精密注塑成型工藝提高背光源的精度、改善其變形度、簡化組裝工藝。通過改變網點設計方式和網點的制造方式,提高背光源的亮度和均勻性。通過網點及光學膜的設計,結合燈的發光強度,控制光路的走向,解決雙屏開小窗的均勻度問題。
543nm激光波長標準及實用型次級標準光源
項目簡介: 543nm激光波長標準完全符合國際推薦的條件,其波長相對不確定度優于國際推薦的2.5×10-10。能夠作為基準543nm標準光源提供溯源。實用型穩頻543nm次級波長標準光源,滿足了量塊干涉儀小數重合法和其它高精度測量的需要,并在國內多家計量單位得到實際應用。
有源光纖光源與放大器等系列產品產業化
項目簡介:該項目主要包括“單頻窄線寬摻鉺光纖激光器”和“摻鉺光纖寬帶光源”兩部分。“單頻窄線寬摻鉺光纖激光器”是以摻鉺光纖作為激光介質,有效地抑制了其他頻率激光的產生,使光纖環形腔激光器產生單縱模激光輸出;“摻鉺光纖寬帶光源”是用半導體激光器作為泵浦光,通過波分復用器將泵浦光入射到摻鉺光纖中,并產生自發輻射光,隨著光波在摻鉺光纖介質中傳播距離的增加,該自發輻射光得以放大。
910nm高功率半導體激光器主動式光源研究
項目簡介:該項目主要內容是高功率InGaAs/AlGaAs/GaAs分別限制單量子阱激光器結構設計;高質量InGaAs/AlGaAs/GaAs分別限制單量子阱激光器材料的MBE外延生長;利用分析測試手段如,SEM,PL,X-ray 等分析測試技術對MBE生長的材料進行測試分析,研究InGaAs/AlGaAs/GaAs分別限制單量子阱激光器材料的光電特性;InGaAs/AlGaAs/GaAs分別限制單量子阱結構的器件制作工藝;對通過后工藝制得的InGaAs/AlGaAs/GaAs分別限制單量子阱激光器器件作綜合測試,得到功率1W,波長910nm的器件;應用此器件展開主動式光源的研究。
微聚焦X射線光源相襯成像及其應用研究
項目簡介:微聚焦X射線源(<40m)能提供較高空間相干性的X射線。它具有體積小、焦斑尺寸可調等特點,成像分辨率由焦斑尺寸決定。綜合考慮輸出通量和分辨率,擬選擇光斑尺寸為 2 m的光源。考慮到X射線光管的通量相對較低,擬采用靈敏度較高的探測器。研究生物、化學等動態過程要求能實時成像,因而需要建立一個數字成像系統。系統由微聚焦X射線光源、樣品臺、探測器、計算機及相關掃描機構組成。實驗研究階段,整套設備置于一個1200×800的防振臺上,以減小振動對成像分辨率的影響。X射線源固定,樣品臺可實現三維平動及一維轉動,探測器可在光軸方向平動。整套裝置置于一個防護罩內,以保證實驗人員的安全。
汞氙燈研究
項目簡介:汞氙燈是一種氣體放電光源,在球型石英泡殼內,在距離非常近的兩個電極之間由汞蒸汽和氙氣完成放電發光。與其它氣體放電光源比較有亮度很高、光色好、壽命長、紫外輻射強度大的特點。該項目研究了電極技術,確保了汞氙燈有良好的工作狀態和壽命;鉬箔氣泡封接技術,保證汞氙燈獲得良好的真空氣密性和抗振動、耐沖擊的機械特性,且消除了封接死區;管腳插腳排列技術,確保汞氙燈有好的聚焦性。
意義:該燈采用新的電極材料使亮度和壽命有較大的提高,且成本低,具有良好的經濟前景。
白色有機電致發光材料和液晶背光源制備及全色顯示研究
項目簡介:該項目研究自行合成了高效寬譜帶的白色有機電致發光材料Zn(BTZ)2,制備了兩類新型單一發光層的白光OLED,即摻雜型Zn(BTZ)2器件和混合型LPPP器件。首次在Zn(BTZ)2中摻入熒光染料Rubrene,并做出高質量白光器件。并進行了提高白光器件發光效率的機理研究。首次將最佳摻雜濃度比條件下的Zn(BTZ)2:Rubrene白光器件應用于液晶顯示器件并做出兩類液晶顯示背光源,即較大面積點陣式背光源和非點陣式背光源,它們均能很好滿足液晶顯示對背光源的要求。同時首次探索了將器件與彩色光學濾色片結合得到全色顯示的可能性,獲得了三基色發光并測得它們的發光強度、色度與光譜。依據混色原理,將得到的三基色光按不同的比例進行混合,可實現多色顯示。此外,還進行了柔性白色有機電致發光器件的研究。
長弧氙燈研究
項目簡介:長弧氙燈是利用高壓氙氣放電現象制成的一種氣體放電光源,由石英泡殼、電極部件和填充氣體三部分組成,燈內充入高純氙氣,具有亮度高、光色好的特點。該項目采用鈦吸氣劑技術,保證燈中雜質氣體被有效吸除,使燈獲得更好的氙氣放電效果;電極凈化處理技術,電極車制后經清洗除油、超聲除油、燒氫退火、真空退火、高頻去氣等工序進行凈化處理,從而獲得更好的電子發射性能;環形鉬箔-石英氣泡封接技術,保證長弧氙燈獲得良好的真空氣密性和抗振動、耐沖擊的機械特性,且消除了封接死區。
均勻納米孔玻璃及其高效高強度發光性能研究
項目簡介:該項目利用具有納米孔的玻璃來抑制發光離子的濃度效應的方法,可以得到一代新型的透明高效發光材料,研究的成果有可能應用于固體激光和光纖放大器以及各種色彩的新型光源等特別是有可能用作新型環保照明光源以取代目前普遍采用的用汞蒸汽作為熒光燈管壁上白色發光材料的激光光源的日光燈。
ST?EL系列金鹵燈電子鎮流器
項目簡介:金鹵燈與其他人造光源相比具有突出的優點:高光效、高顯色性、長壽命。是所有電光源中最好的光源。金鹵燈采用電子鎮流器驅動后,能提高發光效率、降低系統功耗、延長燈管使用壽命、降低燈電流波峰系數,具有更大的可控制性和很高的功率因數,可大幅降低比如電網架線、變壓器等系統成本。項目研發圍繞綠色照明、節電、提高光效、延長金鹵燈管壽命、提高電子鎮流器自身工作可靠性展開。燈管的正常啟動和工作對施加電壓的幅值、電流的波形要求嚴格,為消除燈腔聲共振,施加的電流頻率也嚴格按規律變化。提高功率因數(大于0.99),確保電路恒功率輸出,降低電流諧波幅值,降低功耗,適應不同供應廠商的燈管產品特性。對啟動狀態下和工作狀態下的燈開路、燈短路;環境溫度、電網電壓的大幅波動;各種外部電磁信號沖擊干擾,等等,電子鎮流器均能做出相應處理。
GaN基系列白色發光二極管
項目簡介:GaN基系列白色發光二極管是在藍光LED基礎上產生的,主要作為指示或顯示用,具有體積小,驅動電壓低,響應速度快等特點,可耐惡劣條件,光效已超過白熾燈,耗能僅相當于白熾燈的10%-20%,壽命是白熾燈的20倍以上。該項目將藍色發光芯片裝于帶杯形的引線框架上,熒光膠點于杯內,覆蓋在藍色芯片上面,形成一定厚度和弧度,最后通過環氧樹脂封裝,形成透鏡作用,得到一定光學空間分布,還可以保護芯片和金絲。
意義:該產品設計合理,工藝設計適應批量生產要求,外形結構及性能符合用戶使用要求,其主要的性能指標達到國內外同類產品領先水平。